[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

(a)准备半导体元件、导电性的基板；

(b)在所述基板的主面的接合区域中配置烧结性的接合材料；以及

(c)将所述半导体元件的背面电极作为用于接合的面即接合面，通过一边使所述接合面与所述接合材料加压接触，一边对所述接合材料进行烧结，从而经由所述接合材料将所述基板和所述半导体元件接合，

所述工序(b)中的所述接合区域，在俯视观察时处于所述半导体元件的接合面内侧，

在所述工序(c)之后，所述接合材料在俯视观察时位于所述半导体元件的接合面的内侧，

所述基板的在俯视观察时与所述半导体元件重叠的区域是平坦的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c)之后，所述接合材料是以Ag、Cu、Pd、Au中的某一种为主要成分的导电性金属。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述接合材料由直径大于或等于1nm而小于或等于10μm的金属颗粒构成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述接合材料为膏状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述接合材料是通过印刷而配置的。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述接合材料是通过从射流器射出而配置的。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(b)中，所述接合区域为多个，

在所述工序(c)中，所述半导体元件为多个，各所述半导体元件在各所述接合区域中分别接合。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c)之后，烧结后的所述接合材料的厚度小于或等于1000μm。

9.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

导电性的基板；

半导体元件，其具有用于接合的接合面即背面电极，所述接合面与所述基板的表面接合；以及

接合材料，其将所述半导体元件的用于接合的面即接合面与所述基板烧结接合，

所述基板的在俯视观察时与所述半导体元件的所述接合面重叠的区域是平坦的，

所述接合材料在俯视观察时位于所述半导体元件的所述接合面的内侧。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

(a)准备半导体元件、绝缘性的基板；

(b)在所述基板的主面的接合区域中配置烧结性的接合材料；以及

(c)将所述半导体元件的背面电极作为用于接合的面即接合面，通过一边使所述接合面与所述接合材料加压接触，一边对所述接合材料进行烧结，从而经由所述接合材料将所述基板和所述半导体元件接合，

所述工序(b)中的所述接合区域，在俯视观察时处于所述半导体元件的接合面内侧，

在所述工序(c)之后，所述接合材料在俯视观察时位于所述半导体元件的接合面的内侧大于或等于30μm而小于或等于200μm处，

所述基板的在俯视观察时与所述半导体元件重叠的区域是平坦的。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(c)之后，所述接合材料是以Ag、Cu、Pd、Au中的某一种为主要成分的导电性金属。