[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求2013年11月11日提交的韩国专利申请第10-2013-0136465号的权益，通过引用将其如在本文中完全阐述的那样并入本文。

技术领域

本发明涉及有机发光显示(OLED)装置及其制造方法，更具体地涉及设置有防反射层的OLED装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示(OLED)装置包括设置在用于注入电子的负极和用于注入空穴的正极之间的发光层。当在负极中生成的电子和在正极中生成的空穴被注入到发光层的内部时，通过电子和空穴的复合产生激子。然后，当激子从激发态降至较低能态时，OLED装置发光。

在下文中，将参照附图描述根据相关技术的OLED装置。

图1为示出根据相关技术的OLED装置的截面图。

如图1所示，根据相关技术的OLED装置可以包括基板10、薄膜晶体管20、钝化膜30、滤色层40、偏振层50、第一电极60、堤坝层65、发光层70、第二电极80以及防反射层90。

薄膜晶体管20设置在基板10的上表面上。薄膜晶体管20可以包括：在基板10上被图案化的栅电极21；半导体层22，该半导体层22借助介于栅电极21与半导体层22之间的栅极绝缘膜15而绝缘于栅电极21；以及设置在半导体层22上并且设置为彼此隔开固定间隔的源电极23和漏电极24。

钝化膜30设置在薄膜晶体管20上。

滤色层40在钝化膜30上被图案化。

偏振层50设置在滤色层40上。在钝化膜30和偏振层50的预定区中形成有接触孔，借以经由接触孔使薄膜晶体管20的漏电极24露出。

第一电极60在偏振层50上被图案化。第一电极60经由接触孔与漏电极24接触。

堤坝层65设置在偏振层50上。堤坝层65设置在薄膜晶体管(TFT)区上，以由此限定显示区。

发光层70设置在第一电极60上，并且在由堤坝层65限定的显示区上被图案化。从发光层70发射的光穿过滤色层40、继而穿过基板10，以由此显示图像。

第二电极80设置在发光层70上。

防反射层90设置在基板10的下表面上，以由此防止外部光在基板10的下表面上被反射。如上所述，薄膜晶体管20形成在TFT区中。因而，外部光由于用于形成薄膜晶体管20的多个信号线而被反射。就此，在基板10的下表面上设置防反射层90以减小或防止外部光的反射。

然而，在根据相关技术的OLED装置中，在TET区和显示区两者中形成有通常以膜型方式设置的防反射层90，这降低了显示区的透光率和OLED装置的亮度。也就是说，在从发光层70发射的光穿过基板10、继而穿过防反射层90的情况下，相当量的光在防反射层90中被吸收，由此引起光损失。

发明内容

因此，本发明涉及有机发光显示(OLED)装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的局限性和缺点而引起的一个或更多个问题。

本发明的优点是提供了适用于通过减小或防止外部光的反射来提高亮度的OLED装置。

本发明的其他特征和优点将在下面的描述阐述，并且本发明的其他特征和优点根据对如下内容的考察对于本领域技术人员将是明显或者可以根据本发明的实践而学到。通过在书面说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现并获得本发明的这些和其他优点。

如在本文中所实施和宽泛描述的那样，为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，提供了有机发光显示(OLED)装置，可以包括例如：在基板上的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素均包括TFT区和显示区，第一像素和第二像素中的每一者的显示区包括第一电极、发光层和第二电极；在第二像素的显示区中的滤色层；和在第一像素和第二像素中但基本上排除第二像素的显示区的防反射层。

在本发明的实施方案的另一方面，提供了制造有机发光显示(OLED)装置的方法，该OLED装置包括在基板上的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素均包括TFT区和显示区，第一像素和第二像素中的每一者的显示区包括第一电极、发光层和第二电极，该方法包括：在第二像素的显示区中形成滤色层；和在第一像素和第二像素中但基本上排除第二像素的显示区形成防反射层。

应该理解的是，本发明的前述一般性描述和以下详细描述是示例性和说明性的。并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步解释。

附图说明

被包括来提供对本发明的进一步理解并且被并入在本申请中并构成本申请的一部分的附图示出本发明的实施方案并且同时与描述一起用于解释本发明的原理。在附图中：