[发明专利]一种在固相微萃取头上制备g-C3N4涂层的方法

权利要求书

1.一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在空气条件下，将三聚氰胺粉末煅烧，磨碎，即得黄色g-C₃N₄粉末；

2)先将基体清洗，烘干，再将基体的一端浸入硅氧树脂SE-30环己烷溶液中，然后将g-C₃N₄粉末涂覆于基体上，即得g-C₃N₄涂层。

2.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤1)中，所述煅烧的温度为550℃，煅烧的时间为4h。

3.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述基体采用不锈钢丝、石英纤维丝、尼龙丝中的一种。

4.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述基体的长度为15～20cm。

5.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述清洗是依次用丙酮和超纯水超声清洗。

6.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述烘干的温度为60℃。

7.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述基体的一端其长度为1～2cm。

8.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述硅氧树脂SE-30环己烷溶液的质量浓度为0.3g mL^-1。

9.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述浸入硅氧树脂SE-30环己烷溶液中的时间为25～35s。

10.如权利要求1所述一种在固相微萃取头上制备g-C₃N₄涂层的方法，其特征在于在步骤2)中，所述g-C₃N₄涂层的厚度为130～150μm。