[发明专利]一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201410597967.2 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN104393064A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 徐东;仁昌义 | 申请(专利权)人: | 徐东 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 236200 安徽省阜阳市颍*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 mo 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池的背电极Mo薄膜及其制备方法。
背景技术
太阳能电池作为新能源的一种利用形式,其具有永久性,清洁性以及稳定性,从而深得人们的青睐。目前,关于太阳能电池的研究正进行的如火如荼。太阳能电池的主要结构包括衬底,背电极,吸收层,窗口层,电极。纵观目前的研究发现,众学者的研究主要集中在吸收层结构及性能的提高上。而对于背电极的研究却鲜有报道。经过调研,Mo薄膜作为太阳能电池的背电极,其质量对电池的短路电流、填充因子及串联电阻等影响重大。
在太阳能电池中,影响电池性能的,与背电极Mo薄膜质量相关的因素包括:1、所选衬底的自然性能与缺陷;2、衬底清洗的洁净程度;3、Mo薄膜和CIGS薄膜界面处MoSe2存在的可能形态;4、Na离子通过Mo薄膜向CIGS层中的扩散;5、Mo薄膜和衬底、Mo薄膜和CIGS薄膜之间的附着性。
从上述结果来看,Mo薄膜的质量对电池的制备以及性能具有十分重要的作用。而在已有的研究过程中发现,溅射在玻璃衬底上的金属背电极Mo薄膜与衬底的结合力较弱,有的在沉积CIGS薄膜的过程中脱落,有的在缓冲层工序中脱落。因此,研究Mo薄膜与衬底的附着力的提高方法变得尤为重要。这对电池的进展具有至关重要的作用。针对这个问题,已有John H.Scofield等提出分别在高气压和低气压下制备双层Mo薄膜的方法,这很好的解决了Mo薄膜与基体结合力差的问题,庄大明等及黄素梅等提出了使用Cu、Mo合金靶或Cu靶、Mo靶共溅射与基体结合力良好的Cu-Mo合金薄膜作为背电极的方法。方小红等提出以柔性材料钛箔或不锈钢箔为基体时,首先在基体上制备一层金属Cr,再制备一层金属Mo电极,以此来提高Mo薄膜附着力的方法。
发明内容
本发明是这样实现的,一方面,提供了一种简单、易于操作、可重复性强和可精确控制Mo薄膜的厚度的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法,包括下述步骤:
(1)基体的选择;
(2)基体的清洗:将基体在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波中清洗,然后用高纯氮气吹干;
(3)金属层的制备:
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源,以单一金属Al为靶材,电流为0.5A-2A,工作压强为1Pa-5Pa,在所述基体上制备得到金属A1的金属层;或
采用金属Al与Mo的合金靶溅射得到金属A1与Mo混合的金属层;或
采用金属Al靶与Mo靶共溅射制备得到金属A1与Mo混合的金属层。
(4)Mo薄膜的制备:
采用直流电源、直流脉冲电源或射频电源在所述已镀有金属A1的金属层或金属A1与Mo混合的金属层的基体上沉积一层Mo薄膜,其中,Mo靶的靶电流为0.6A-2A,工作压强为0.05Pa-0.5Pa。
具体地,在步骤(1)中,所述基体为载玻片、钠钙玻璃或不锈钢。
具体地,在步骤(2)中,所述超声波清洗的时间为5-15min。
具体地,在步骤(3)中,所述金属层的厚度为8-100nm。
具体地,在步骤(4)中,所述Mo薄膜的厚度为0.5-1.2um。另一方面,提供了一种太阳能电池的背电极Mo薄膜,该太阳能电池的背电极Mo薄膜由上述太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法制备而成,所述太阳能电池的背电极Mo薄膜包括依次层叠设置的基体、金属层和Mo薄膜;所述金属层沉积在所述基体上,所述Mo薄膜沉积在所述金属层上。
具体地,所述金属层为单一金属Al的金属层或金属Al与Mo混合的金属层。
本发明的有益效果是:本发明技术方案中,采用磁控溅射法在基体上制备一金属层,然后在金属层上制备Mo薄膜,该制备方法简单、易于操作、可重复性强和可精确控制Mo薄膜的厚度,同时,该方法制备的Mo薄膜具有膜基结合力高、电导率低的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的太阳能电池的背电极Mo薄膜的制备方法流程图。
图2是本发明实施例提供的太阳能电池的背电极Mo薄膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐东,未经徐东许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410597967.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:锯齿状牙种植体
- 下一篇:一种驾驶信息显示方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的