[发明专利]显示基板及其显示装置、制作方法有效
申请号: | 201410594580.1 | 申请日: | 2014-10-29 |
公开(公告)号: | CN104409468B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 沈武林;李延钊;崔剑 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微腔结构 显示基板 像素单元 腔长 滤波功能 基板 子像素单元 显示装置 波长 彩膜 制作 显示器 垂直 | ||
1.一种显示基板,包括多个位于基板上的像素单元,其特征在于,所述显示基板还包括:
用于发出白光的发光单元;
滤波功能单元,与像素单元对应设置,所述滤波功能单元包括至少三个微腔结构,所述微腔结构设置于所述发光单元的出光侧,且沿垂直所述基板的方向,三个所述微腔结构的腔长不同,其中不同腔长的微腔结构包括不同厚度的隔离层,且不同腔长的所述微腔结构只能透过特定波长的光,所述像素单元的同类子像素单元对应的所述微腔结构的腔长相同;不同厚度的所述隔离层中的至少一所述隔离层包括间隔设置的Al材料层和SiOx材料层;
反射结构,设置于所述发光单元的出光相反侧,所述反射结构能够将与第一方向相反方向的光朝第一方向反射,其中所述第一方向为所述发光单元所发出白光的出射方向;其中,
所述隔离层与所述发光单元之间具有间隔空间,所述微腔结构的腔长等于所述隔离层靠近所述发光单元的一侧表面到所述反射结构之间的距离。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述微腔结构的腔长与所透过光的波长具有对应关系,满足法布里-珀罗Fabry-Perot谐振方程。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元包括阴极、阳极和设置于所述阴极与所述阳极之间的有机发光功能层。
4.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述阴极较所述阳极设置于所述有机发光功能层远离所述微腔结构的一侧,且所述阴极形成为所述反射结构。
5.如权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括用于驱动所述发光单元发光的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括从所述基板依次朝所述发光单元方向排列的栅极、绝缘层、半导体层、源/漏极和保护层。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,三个不同腔长的所述微腔结构分别与像素单元的蓝色像素子单元、红色像素子单元和绿色像素子单元相对应。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6任一项所述的显示基板。
8.一种用于权利要求1至6任一项所述显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基板上形成构成滤波功能单元的图形;
其中,形成构成滤波功能单元的图形的步骤包括:对应三个不同腔长的所述微腔结构形成不同厚度的隔离层,且不同厚度的所述隔离层中的至少一所述隔离层包括间隔设置的Al材料层和SiOx材料层。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在形成所述滤波功能单元的图形的基础上形成构成发光单元的图形;所述发光单元用于发出白光;
形成构成所述发光单元的图形的步骤包括依次形成阳极、有机发光功能层和阴极的步骤。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括在构成所述滤波功能单元的图形之前,在基板上形成用于驱动所述发光单元发光的薄膜晶体管的步骤。
11.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,对应三个不同腔长的所述微腔结构形成不同厚度的隔离层的步骤中,第一个微腔结构的所述隔离层包括三层Al材料层和二层SiOx材料层,其中Al材料层和SiOx材料层间隔设置;第二个微腔结构的所述隔离层包括二层、Al材料层和一层SiOx材料层,其中Al材料层和SiOx材料层间隔设置;第三个微腔结构的所述隔离层包括一层Al材料层。
12.如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,形在不同厚度的所述隔离层的步骤包括:
将第一个微腔结构所对应隔离层的结构沉积于整个所述滤波功能单元的对应区域;
将光刻胶涂覆在所形成的所述隔离层上,并进一步将第三个微腔结构所对应的光刻胶全部灰化,将第二个微腔结构所对应的光刻胶灰化二分之一的高度;
对第三个微腔结构所对应所述隔离层的Al材料层进行刻蚀,并进一步对第三个微腔结构所对应所述隔离层的SiOx材料层进行刻蚀,同时将第二个微腔结构所对应的光刻胶刻蚀掉,第一个微腔结构所对应的光刻胶刻蚀掉厚度的一部分;
将第三个微腔结构所对应所述隔离层的Al材料层刻蚀掉,同时将第二个微腔结构所对应所述隔离层的Al材料层刻蚀掉;
将第三个微腔结构和第二个微腔结构所对应所述隔离层的SiOx材料层刻蚀掉;
剥离第一个微腔结构上的光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的