[发明专利]一种化合物及其制备方法以及美登素DM1的制备方法在审
申请号: | 201410579898.2 | 申请日: | 2014-10-24 |
公开(公告)号: | CN105585579A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 徐俊;张彬彬;吴胜星;李海泓 | 申请(专利权)人: | 南京联宁生物制药有限公司 |
主分类号: | C07D498/18 | 分类号: | C07D498/18 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 黄杭飞 |
地址: | 210000 江苏省南京市栖霞区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化合物 及其 制备 方法 以及 美登素 dm1 | ||
技术领域
本发明涉及一种化合物的制备方法,尤其涉及美登素DM1的制备方法以及制备美登素DM1的中间体化合物的制备方法。
背景技术
Kadcyla(ado-trastuzumabemtansine,(I)),是罗氏制药开发的抗体药物偶联物,由曲妥珠单抗和小分子微管抑制剂美登素DM1(II)偶联而成,用于治疗HER-2阳性晚期转移性乳腺癌。
US6333410公开了一种以安斯菌素P3(简称AP3)为起始原料制备美登素DM1的方法。该方法第一步通过还原化水解反应得到美登醇;第二步经由美登醇与双巯基基N-甲基丙氨酸发生酯化反应得到100%差向异构化的双巯基基中间体;第三步为柱层析得到C3为S构型的双巯基中间体;第四步再进行还原得到美登素DM1。步骤一中以安斯菌素P3还原水解得到美登醇,最优选的反应条件需要在氮气保护下,-37℃到-45℃之间控温三小时以上,这对于中试合成造成很大的不便,提升了生产成本,限制了该方法在生产上的应用。
发明内容
本发明的目的是提供一种反应条件温和的美登素DM1的制备方法以及美登素DM1的中间体化合物及其制备方法。
一种化合物,其化学结构式如下:
其中R选自乙基、叔丁基、甲氧基酰基甲基、-(CH2)nOH(n=1,2,3,4)中的任意一种。
一种制备化合物的方法,其以AP3为原料,以LiAl(t-Bu)3H为还原剂制得美登醇,然后美登醇与谷氨酸5-苄酯N-羧基环内酸酐(NCA)发生酯化反应,在缩合剂存在条件下与化合物COOH(CH2)2SSR反应制得下述化合物1,其中R选自乙基、叔丁基、甲氧基酰基甲基、-(CH2)nOH(n=1,2,3,4)中的任意一种,其反应式为:
一种美登素DM1的制备方法,由下述化合物1经还原反应制得,
其中R选自乙基、叔丁基、甲氧基酰基甲基、-(CH2)nOH(n=1,2,3,4)的任意一种。
本发明的制备美登素DM1的方法中,以AP3为原料,以LiAl(t-Bu)3H为还原剂制得美登醇,使得生成美登醇的反应过程更加温和,美登素DM1的产率高达91%。
具体实施方式
下面结和具体实施方式对本发明的美登素DM1的制备方法以及美登素DM1的中间体化合物及其制备方法作进一步详细说明。
下述具体实施方式中,核磁共振由BrukerAMX-400型和INVOA-600型核磁共振仪测定,其中以TMS为内标,化学位移单位为ppm;柱层析用青岛海洋化工厂生产的200-300目硅胶;TLC硅胶板为烟台化工厂生产的HSGF-254型薄层层析预制板;石油醚沸程为60-90℃。
一种用于制备美登素DM1的方法,其包括以下步骤:
步骤一:以AP3为原料制备美登醇。向配有温度计和滴液漏斗的反应瓶中加入100gAP3,然后将500ml无水四氢呋喃加入到反应瓶中,在-10℃到10℃氮气保护下,滴加浓℃为1mol/L的LiAl(t-Bu)3H四氢呋喃溶液。待LiAl(t-Bu)3H四氢呋喃溶液滴加完毕,反应液控制在-10℃到10℃,搅拌2到5小时,反应液进一步冷却到0℃到4℃,滴加150ml水。水滴加完后,反应液在-10℃到10℃的温度条件下,搅拌30分钟,然后加入200ml含有质量分数为1%甲酸的乙酸乙酯溶液,待充分反应后,经过滤除去白色沉淀物,将滤液浓缩得白色泡沫固体,然后在甲醇/二氯甲烷1%到4%梯度下进行柱层析,得到白色固体状的66g美登醇,产率为87%。
步骤二:制备美登素中间体化合物1。美登醇与NCA发生酯化反应,在缩合剂存在条件下与化合物R取代的3-双巯基丙酸(反应得到化合物I,其中R选自乙基、叔丁基、甲氧基酰基甲基、-(CH2)nOH(n=1,2,3,4),其反应式为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京联宁生物制药有限公司,未经南京联宁生物制药有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410579898.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。