[发明专利]彩色显示器件在审
申请号: | 201410559899.0 | 申请日: | 2014-10-20 |
公开(公告)号: | CN104393013A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 刘亚伟;王宜凡 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色显示器 | ||
1.一种彩色显示器件,包括:基板(1)、形成于基板(1)上的阳极(21)、形成于阳极(21)上的薄膜晶体管阵列(23)、形成于薄膜晶体管阵列(23)上的空穴注入层(24)、形成于空穴注入层(24)上的空穴传输层(25)、形成于空穴传输层(25)上的白光发光层(26)、形成于白光发光层(26)上的电子传输层(27)、形成于电子传输层(27)上的阴极(28)、设于阴极(28)上方并与基板(1)贴合的盖板(3)、形成于盖板(3)内侧的色彩转换层(4)、及粘结基板(1)与盖板(3)的密封框胶(6),其特征在于,所述白光发光层(26)发白光,所述色彩转换层(4)包括间隔设置的蓝色子像素区域(41)、绿色子像素区域(43)与红色子像素区域(45),所述蓝色子像素区域(41)形成有蓝光过滤层,所述绿色子像素区域(43)形成有绿光过滤层或绿光转换层,所述红色子像素区域(45)形成有红光过滤层或红光转换层。
2.如权利要求1所述的彩色显示器件,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列(23)中的薄膜晶体管(5)控制所述白光发光层(26)发出白光。
3.如权利要求1所述的彩色显示器件,其特征在于,所述白光发光层(26)通过热蒸镀的方式形成,所述白光发光层(26)为单层结构或复合层结构。
4.如权利要求3所述的彩色显示器件,其特征在于,当所述白光发光层(26)为单层结构时,其单层结构的材料为有机蓝光主体材料与蓝光发光材料、绿光发光材料和红光发光材料掺杂形成的混合材料,或者蓝光发光材料与黄光发光材料掺杂形成的混合材料。
5.如权利要求4所述的彩色显示器件,其特征在于,所述有机蓝光主体材料为4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、或2,4,6,-三(9H-咔唑-9-基)-1,3,5-三嗪,所述蓝光发光材料为聚芴类、4,4’-双(2,2-二苯乙烯基)联苯或FIr6,所述绿光发光材料为三(2-苯基吡啶)合铱,所述红光发光材料为三(1-苯基-异喹啉)合铱(III),所述黄光发光材料为5,6,11,12-四苯基并四苯。
6.如权利要求1所述的彩色显示器件,其特征在于,所述蓝光过滤层由蓝光量子点材料形成,所述绿光过滤层或绿光转换层由绿光量子点材料形成,所述红光过滤层或红光转换层由红光量子点材料形成。
7.如权利要求6所述的彩色显示器件,其特征在于,所述红光量子点材料为CdSe/CdS/ZnS,所述绿光量子点材料为CdSe/ZnS或ZnSe:Cu2+,所述蓝光量子点材料为ZnCdS、CdSe/ZnS或纳米SiN4。
8.如权利要求6所述的彩色显示器件,其特征在于,所述蓝光过滤层通过蓝光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到;所述绿光过滤层通过绿光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到;所述红光过滤层分别通过红光量子点材料与表面包覆剂及溶剂混合、涂覆并挥发去除溶剂后得到。
9.如权利要求1所述的彩色显示器件,其特征在于,所述基板(1)与盖板(3)由玻璃或柔性材料形成,所述基板(1)与盖板(3)中至少一个透光。
10.如权利要求1所述的彩色显示器件,其特征在于,所述电子传输层(27)的材料为八羟基喹啉铝,所述空穴传输(25)的材料为聚三苯胺,所述空穴注入层(24)的材料为聚乙撑二氧噻吩。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410559899.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板及其制备方法、显示装置
- 下一篇:一种TFT基板及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的