[发明专利]一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构

权利要求书

1.一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。

2.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：氧化剥离层的构成材料包括AlAs与氧化铝的混合物及其化合物。

3.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：氧化剥离层的厚度为30-100nm。

4.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：外延保护层为由第一外延保护层与第二外延保护层构成的双层结构。

5.如权利要求4所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：第一外延保护层的构成材料包括 (Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P,0≤x≤1；第二外延保护层的构成材料包括Al_yGa_1-yAs,0≤y≤0.5。

6.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：衬底保护层的构成材料包括 (Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P,0≤x≤0.5。

7.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：外延发光结构由第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层构成；有源层一侧设置第一型电流扩展层，在第一型电流扩展层与有源层之间设置第一型限制层；有源层另一侧设置第二型电流扩展层，在第二型电流扩展层与有源层之间设置第二型限制层。

8.如权利要求7所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，其特征在于：第一型电流扩展层、第一型限制层及第二型限制层的构成材料包括 (Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P、Al_yGa_1-yAs,0≤x≤1，0≤y≤0.5；有源层的构成材料包括(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P、Al_yGa_1-yAs,0≤x≤1，0≤y≤0.5；第二型电流扩展层的构成材料包括(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P、Al_yGa_1-yAs、GaP,0≤x≤1，0≤y≤0.5。