[发明专利]酚醛树脂为碳源固相烧结制备复杂形状碳化硅陶瓷工艺有效
申请号: | 201410542297.4 | 申请日: | 2014-10-14 |
公开(公告)号: | CN104291827A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 贺智勇;张启富;千粉玲;王晓波 | 申请(专利权)人: | 中国钢研科技集团有限公司;新冶高科技集团有限公司;北京钢研新冶精特科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/634 |
代理公司: | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酚醛树脂 碳源 烧结 制备 复杂 形状 碳化硅 陶瓷工艺 | ||
1.一种酚醛树脂为碳源固相烧结制备复杂形状碳化硅陶瓷工艺,其特征在于,包括如下步骤:
(1)球磨混料:以SiC粉体,B4C粉体和酚醛树脂为原料,以去离子水为溶剂,球磨混合一段时间,得到浆料;
(2)造粒:将得到的浆料烘干、破碎、过筛或喷雾造粒获得混合均匀的粉体;
(3)成型:将粉体干压成型后获得碳化硅陶瓷素坯,然后将素坯冷等静压,或直接将粉体装入橡胶套中冷等静压;
(4)干燥:将获得的碳化硅陶瓷素坯置于均匀加热的烘箱中干燥;
(5)机械加工:绘制图纸,对干燥后的碳化硅素坯进行机械加工;
(6)脱粘和烧结:将加工好的素坯放入烧结炉中,使脱粘和烧结一体化进行。
2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤(1)中所述的SiC粉体的粒径为D50=0.5~4μm,纯度>98%;B4C粉体粒径为D50=1~4μm,B4C粉体加入量为SiC粉体的0.5~3%;酚醛树脂裂解残C率为38~55%,加入量为SiC粉体的3~10%;采用SiC球为研磨球,全部原料︰SiC球=(0.5~5)︰1,球磨时间为3~12h。
3.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤(3)的干压成型工艺所用的模具大小需根据烧结后碳化硅陶瓷的收缩率:15~22%及干压坯体再经冷等静压成型后坯体的收缩率2~20%来共同确定;干压工艺为30~80MPa,保压时间为5~30s。
4.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤(3)的冷等静压工艺为120~240MPa,保压5~15min。
5.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤(4)的干燥工艺为120~200℃,保温2~10h。
6.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述步骤(4)的碳化硅陶瓷素坯的尺寸需按照烧结后线收缩率15~22%来将SiC陶瓷制品的尺寸放大后获得。
7.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述的步骤(5)中脱粘和烧结在同一炉中连续进行:脱粘在700~850℃的真空条件下进行,脱粘制度为600-850℃保温2-8h;升温速率为2~5℃/min,烧结在流动的氩气气氛中进行,当≤1750℃时,升温速率为5℃/min,当>1750℃时升温速率为,0.5~3℃/min,最高温度为1900~2250℃,降温速率为5-10℃/min。
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