[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410534793.5 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105575881B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
步骤一、提供半导体衬底；
步骤二、在所述半导体衬底上形成低k介电层和位于所述低k介电层中的铜互连结构；
步骤三、引入第一气体源处理所述铜互连结构和所述低k介电层的表面，以形成高分子量聚合物层，第一气体源包括六甲基二硅氮烷或其它含有CH3、N和Si的有机高分子化合物和氨气；
步骤四、引入第二气体源处理所述高分子量聚合物层，以形成界面层；
步骤五、交替重复步骤三和步骤四，直到所述界面层的厚度达到预定值；
步骤六、在所述界面层上沉积形成电介质覆盖层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在对所述铜互连结构和所述低k介电层的表面进行处理以形成所述高分子量聚合物层之前，采用氨气或者氮气处理所述铜互连结构露出的顶面的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气体源为六甲基二硅氮烷和氨气的混合气体。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，引入所述第一气体源对所述铜互连结构和所述低k介电层的表面进行浸润和清洗处理，以形成所述高分子量聚合物层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二气体源为三甲基硅烷或者四甲基硅烷。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，射频处理所述第二气体源，以形成能与所述高分子量聚合物层反应的等离子体。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层材料为SiCN。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层的厚度预定值为2～5nm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
