[发明专利]于静态电流测试下检测全域字符线缺陷

说明书

本发明涉及于静态电流测试下检测全域字符线缺陷的领域，具体的，一种检测内存缺陷的装置，包括：一第一全域字符线；一第二全域字符线；一全域字符线前端电路，连接至该第一全域字符线；一全域字符线驱动电路，连接至该第一全域字符线；一位储存电路，连接至该第一全域字符线，以及包括多个字符储存晶体管，其中，该多个字符储存晶体管包括：多个寄生电容；以及一压控电流晶体管，包括一第一端、一第二端及一第三端，其中，该第一端连接至该第一全域字符线，该第二端连接至该全域字符线前端电路，以及该第三端输出测试电流。

技术领域

本发明涉及一种检测装置，尤指一种检测内存缺陷的装置。

背景技术

现今，由于半导体制程及个人计算机的进步，计算机内存(computer memory)已成为个人计算机不可或缺的电子装置，计算机内存是一种藉由半导体制程技术做成的电子装置，用以储存资料。

一般而言，计算机内存可以根据储存能力及电源的关系分为两类：挥发性内存(volatile memory)及非挥发性内存(non-volatile memory)。挥发性内存为当电源供应中断时，内存储存的数据便会消失。非挥发性内存为即使电源供应中断，内存储存的数据并不会消失，并且，再重新供应电源后，就能够再读取内存的数据。

此外，挥发性内存主要包括：静态随机存取内存(Statistic Random AccessMemory；SRAM)及动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory；DRAM)。静态随机存取内存的优点是速度快，但是单元所占用的资源较动态随机存取内存多。另外，动态随机存取内存的优点是单元所占用的资源及空间较小，但是速度比静态随机存取内存慢。一般计算机内存多由动态随机存取内存组成。

然而，在现有技术中，由于先进的半导体制程，使得内存中的多个全域字符线(global word line；GWL)彼此之间的距离极小，尤其是动态随机存取内存内的多个全域字符线。因此，对于上述动态随机存取内存的测试变得极为重要，但在实际环境中，由于动态随机存取内存内部的多个晶体管的漏电流极小，无法准确地量测动态随机存取内存内的多个全域字符线彼此之间是否存在短路的情况，因此，为了解决无法直接地及准确地量测动态随机存取内存中的多个全域字符线彼此之间是否存在短路的问题，本发明提出一种有效地量测动态随机存取内存中的多个全域字符线彼此之间是否存在缺陷(如短路)。

因此，如何提出一种能让使用者在量测时，于实际环境中仍能有效地量测全域字符线彼此之间是否存在缺陷及无需对动态随机存取内存电路作修改的特点，同时兼顾实用性及稳定性、降低测试成本及简易使用的特性，实为目前各界亟欲解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明的一主要目的为藉由静态电流测试(IDDQtesting)方法具有测试集成电路缺陷的功能，提供使用者能以原内存电路的方式，无须额外的元件或电路设计，可直接对动态随机存取内存(Dynamic Random Access Memory；DRAM)的内部全域字符线进行测试，从而减少制造动态随机存取内存产生的缺陷。

为达上述目的及其它目的，本发明提供一种检测内存缺陷的装置，包括：一第一全域字符线(global word line)，包括一寄生电容；一第二全域字符线；一全域字符线前端电路；一全域字符线驱动电路，连接至该全域字符线前端电路及驱动该第一全域字符线；一区域字符线驱动电路，连接至该第一全域字符线及驱动一区域字符线；以及一压控电流晶体管，包括一第一端、一第二端及一第三端，其中，该第一端连接至该第一全域字符线，该第二端连接至该全域字符线前端电路及该全域字符线驱动电路之间，以及该第三端输出测试电流。

此外，依据本发明实施例，该全域字符线前端电路包括多个全域字符线前端晶体管，该全域字符线驱动电路包括多个全域字符线驱动晶体管，以及该区域字符线驱动电路包括多个区域字符线驱动晶体管。