[发明专利]存储元件及其制造方法

说明书

本发明提供一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多数个杯状电容器、底支撑层以及顶支撑层。杯状电容器位于衬底上。底支撑层配置于杯状电容器的多数个下侧壁之间的衬底上。顶支撑层配置于杯状电容器的多数个上侧壁周围。顶支撑层与底支撑层彼此之间具有空隙。顶支撑层包括周边支撑层与核心支撑层。周边支撑层配置在杯状电容器外围并与杯状电容器连接。核心支撑层配置在周边支撑层内。而且核心支撑层与周边支撑层相隔一间隙，其连接任意相邻的两个杯状电容器。

技术领域

本发明是有关于一种存储元件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的微小化，传统的电容器工艺已经不敷使用，研究人员开发具有高介电常数的介电材料以及增加电容器的表面积，以增加电容器的电容值。一般而言，增加表面积最常采用的方式就是增加电容高度或大小。然而，上述方式容易导致电容器本身的机械强度不足的问题以及邻近的电容器短路(Short)的问题。当电容器的机械强度不足时，则容易发现电容结构变形甚至倾倒的现象；而当邻近的电容器发生短路现象，则降低产品的可靠度(Reliability)。有鉴于此，如何避免邻近的电容器短路且同时具有强化结构的电容器，已得到业界的高度注意。

发明内容

本发明提供一种存储元件及其制造方法，其可避免邻近电容器短路的问题。

本发明提供一种存储元件及其制造方法，其可增加电容器的机械强度。

本发明提供一种存储元件，其包括多数个杯状电容器、底支撑层以及顶支撑层。杯状电容器位于衬底上。底支撑层配置于杯状电容器的多数个下侧壁之间的衬底上。顶支撑层配置于杯状电容器的多数个上侧壁周围。顶支撑层与底支撑层彼此之间具有空隙。顶支撑层包括周边支撑层与核心支撑层。周边支撑层配置在杯状电容器外围并与杯状电容器连接。核心支撑层配置在周边支撑层内。而且核心支撑层与周边支撑层相隔一间隙，其连接任意相邻的两个杯状电容器。

本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。提供衬底。衬底上具有多数个导体区。在衬底上形成底支撑层。底支撑层裸露出导体区。在衬 底上形成多数个杯状下电极。杯状下电极与导体区电性连接。底支撑层位于杯状电容器的多数个下侧壁之间。在衬底上形成顶支撑层，其配置于杯状电容器的多数个上侧壁周围。顶支撑层与底支撑层彼此之间具有一空隙。顶支撑层包括周边支撑层与核心支撑层。周边支撑层位于杯状电容器外围并与杯状电容器连接。核心支撑层位于周边支撑层内，且与周边支撑层相隔一间隙。核心支撑层连接任意相邻的两个杯状电容器。

基于上述，本发明实施例利用配置在任意相邻的两个杯状电容器之间的核心支撑层，以避免邻近的杯状电容器在蚀刻工艺时过度扩孔(Hole Expansion)，而导致邻近的杯状电容器短路问题。此外，本发明实施例的核心支撑层可提供额外的机械强度，以避免本发明实施例的杯状电容器变形甚至倾倒的现象。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1H为依照本发明的第一实施例所示出的存储元件的制造流程的俯视示意图；

图2A至图2H分别为沿图1A至图1H的A-A线的剖面示意图；

图3A至图3H分别为沿图1A至图1H的B-B线的剖面示意图；

图4A至图4F为依照本发明的第二实施例所示出的存储元件的制造流程的俯视示意图；

图5A至图5F分别为沿图4A至图4F的A-A线的剖面示意图；

图6A至图6F分别为沿图4A至图4F的B-B线的剖面示意图。

附图标记说明：

10、40、50：沟槽；

20、60：开口；