[发明专利]一种LED发光单元的制备方法

权利要求书

1.一种LED发光单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在蓝宝石衬底上生长一层类金刚石薄膜；

2)在所述类金刚石薄膜上制备电极通孔；

3)在所述类金刚石薄膜裸露的一面制备电极通孔阵列，同时在所述电极通孔内壁上电镀一层金属，并在电镀有金属的电极通孔处制备键合金属；

4)准备一具有紫外胶的基板，将所述类金刚石薄膜与所述基板的紫外胶贴合；

5)采用激光剥离的方式从所述蓝宝石衬底与所述类金刚石薄膜的交界处将所述蓝宝石衬底与所述类金刚石薄膜剥离；

6)在所述类金刚石薄膜的另一面制备金属图案阵列，同时在所述电极通孔的底部镀金属；

7)再进行LED芯片或晶圆键合；

8)然后进行裂片分割，再在其底部利用紫外光照射使紫外胶丧失粘性而将所述基板分离。

2.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤1)具体为：将蓝宝石衬底在丙酮溶液中进行超声清洗，然后烘干，利用化学气象沉积设备，在Ar气氛围下，在蓝宝石衬底上生长一层类金刚石薄膜。

3.如权利要求2所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤1)中，烘干在80℃～90℃的烤箱中进行。

4.如权利要求2所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤1)中，超声清洗的时间为10～20分钟。

5.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，当步骤7)中进行LED芯片键合时，步骤8)中所述的裂片分割具体为：将所述类金刚石薄膜从相邻LED芯片之间割裂；当步骤7)中进行晶圆键合时，步骤8)中所述的裂片分割具体为：将所述晶圆及所述类金刚石薄膜从相邻电极通孔之间割裂。

6.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤1)中，薄膜的厚度大于4μm。

7.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤3)中，在电极通孔内壁上电镀的一层金属为Au、Au与Su合金、Ag或是Cu，其厚度为0.1μm～3μm。

8.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤4)中，具有紫外胶的基板的制备方法为：取一块清洗烘干过的蓝宝石衬底，在一面旋涂一层厚度为1μm～3μm的紫外胶。

9.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤6)中，在电极通孔底部镀金属的厚度为0.1μm～3μm。

10.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤7)中，芯片或晶圆的电极焊盘大小、形状与位置与类金刚石薄膜基板上表面的电极焊盘大小，形状及位置相匹配。

11.如权利要求1所述的LED发光单元的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述基板为蓝宝石基板。