[发明专利]一种防止晶圆背面污染的机构有效
申请号: | 201410486561.7 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN105513994B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 尹宁 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 背面 污染 机构 | ||
技术领域
本发明涉及半导体行业晶片处理设备,具体地说是一种防止晶圆背面污染的机构。
背景技术
在半导体集成电路制造过程中对晶圆进行液体涂覆时,多余的液体随着晶圆旋转沿晶圆边缘离开晶圆,少量液体会从晶圆边缘流至晶圆背面,背喷装置也会有少量液体残留在晶圆背面,进而污染其他晶圆,降低产品晶圆良率。
发明内容
为了解决晶圆背面残留液体的问题,本发明的目的在于提供一种防止晶圆背面污染的机构。该机构通过调整晶圆背部的气流来调整液体的流向,防止晶圆背面受到污染。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明包括吸盘、扇板、旋转电机、背喷装置、背喷架、背喷盘及安装板,其中背喷盘安装在所述安装板上,所述吸盘位于该背喷盘的上方,并与安装在安装板上的旋转电机相连,由所述旋转电机驱动旋转,所述吸盘的上表面吸附晶圆、下表面沿圆周方向均布有多个扇板;所述背喷盘上设有背喷架,所述背喷装置可移动地安装在背喷架上、对所述晶圆背面边缘进行冲洗,所述扇板随吸盘旋转,形成阻挡液体流至晶圆背面的风流。
其中:所述吸盘的下表面沿圆周方向均布有多个第一凹槽,每个第一凹槽内均容置有扇板;每个所述扇板的上部均容置于一个第一凹槽内,下部的内侧均设有第二凹槽,各所述扇板上的第二凹槽内套设有弹性固定环;
所述背喷盘为圆盘,通过背喷盘支柱固定在所述安装板上;所述背喷架为多个,沿背喷盘的圆周方向均布,每个所述背喷架上均安装有沿背喷盘径向往复移动的背喷装置;
所述旋转电机通过电机安装板固定在安装板上,所述吸盘下表面的吸盘轴由背喷盘中间开设的通孔穿过、与所述旋转电机的输出轴相连;所述吸盘与背喷盘的轴向中心线共线。
本发明的优点与积极效果为:
1.本发明吸盘的下表面安装了扇板,吸盘在旋转时,扇板可在吸盘下方形成自中心向外的风流,风流对晶圆边缘处的液体有引流作用,可防止晶圆处理过程中的各类化学液对晶圆背面的污染,提高产品晶圆的良率。
2.本发明的背喷装置可沿背喷架移动,可对不同尺寸晶圆背面边缘进行冲洗。
3.本发明中的扇板可根据不同工艺进行更换,在不同的转速及工艺要求下,可改用不同形状的扇板。
附图说明
图1为本发明的立体结构示意图;
图2为本发明的结构主视图;
图3为本发明带扇板的吸盘结构示意图;
图4为本发明扇板的结构示意图;
其中:1为吸盘,2为扇板,3为弹性固定环,4为旋转电机,5为电机安装板,6为背喷装置,7为背喷架,8为背喷盘,9为背喷盘支柱,10为安装板,11为第一凹槽,12为第二凹槽。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详述。
如图1、图2所示,本发明包括吸盘1、扇板2、弹性固定环3、旋转电机4、电机安装板5、背喷装置6、背喷架7、背喷盘8、背喷盘支柱9及安装板10,其中安装板10固定在云胶显影设备的机台框架上,背喷盘8为圆盘,通过多个背喷盘支柱9固定在安装板10上;各背喷盘支柱沿背喷盘8的圆周方向均布,每个背喷盘支柱9的上端固接在背喷盘8的下表面,下端固接在安装板10上。在背喷盘8的上表面沿圆周方向均布有多个背喷架7,每个背喷架7上均安装有背喷装置6;本发明的背喷装置6为现有技术,可沿背喷盘8的径向往复移动、对晶圆背面边缘进行冲洗。背喷装置6所在位置视晶圆及吸盘大小而定。
旋转电机4通过电机安装板5固接在安装板10上。吸盘1位于背喷盘8的上方,如图3、图4所示,吸盘1的上表面吸附晶圆,下表面沿圆周方向均布有多个第一凹槽11,该第一凹槽11的长度方向即为吸盘1的径向。吸盘1的下表面沿圆周方向均布有多个扇板2,本实施例的扇板2呈梯形,每个扇板2的上部(梯形的一个腰)均容置于一个第一凹槽11内,下部(梯形的另一个腰)的内侧均设有第二凹槽12,各扇板2上的第二凹槽12内套设有弹性固定环3。吸盘1与背喷盘8的轴向中心线共线,吸盘1下表面的吸盘轴由背喷盘8中间开设的通孔穿过、与旋转电机4的输出轴相连,由旋转电机4驱动旋转,吸盘1上的各扇板2随吸盘1旋转,形成阻挡液体流至晶圆背面的风流。
本发明的工作原理为:
扇板2可插入吸盘1下表面的第一凹槽11中,逐一装好后用弹性固定环3固定。吸盘1与旋转电机4的输出轴之间使用固定销连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造