[发明专利]方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法，尤其是一种利用激光光束烧蚀除胶的方形扁平无引脚封装晶片的除胶方法。

背景技术

请参照图1和2所示，是一种已知方形扁平无引脚封装(quad flat no-lead package,QFNpackage)制程所使用的基板1(substrate)，该基板1中封装有复数个晶片2(die)。该基板1包含复数个散热座11(thermal pad)，且对应各该散热座11分别设有复数个引线框架12(lead frame)，该散热座11及该复数个引线框架12形成于该基板1的一表面1a。各该晶片2可以分别结合于该复数个散热座11上，并且电性连接对应各该散热座11的复数个引线框架12。其中，该基板1的散热座11与引线框架12之间以及各该引线框架12之间具有一胶体3(mold cap)，该胶体3较佳为绝缘材料，且通常采用环氧树脂或其它具有良好绝缘及包覆效果的塑性材质，经由塑脂注模以包覆固定于该晶片2外部，同时延伸至该基板1的表面1a，并使该散热座11及该引线框架12暴露于该表面1a，以利后续晶片成品测试(final test)等作业的进行。

详言之，所述的QFN晶片封装制程首先于该基板1上制作该散热座11及该复数个引线框架12；接着，将该晶片2经由黏晶(die attach)固定于该散热座11；该晶片2及各该引线框架12之间可以透过焊线(wire bond)或者预先成型的电连接线以形成电性连接；最后，藉由于该基板1的表面1a上贴附一层阻隔膜(图未绘示)，利用塑脂注模将呈熔融状态的胶体原料注入该基板1以包覆该晶片2，待其冷却成形后即形成该胶体3，并卸除该阻隔膜以完成该晶片封装制程的封胶(mold)程序。

然而，请参照图3所示，该胶体3在成形过程中，容易溢胶(mold flash)而产生不当覆盖该散热座11或该引线框架12的残胶31，致使该散热座11或该引线框架12无法完整暴露于该基板1的表面1a，进而产生接触不良的情形，间接造成该晶片2封装后的良率下滑，使业者蒙受巨额损失。虽然已知晶片封装制程中尝试加入研磨步骤来修饰该散热座11及该引线框架12的表层，以除去该胶体3的残胶31，只是现有的研磨机台(例如：细砂轮机)的精确度有限，无法将覆盖于该散热座11及该引线框架12表层的残胶31完整去除；另有业者提出透过现有的磨砂橡皮擦来清除该残胶31，虽然除胶效果优异但操作磨砂橡皮擦机台所需的人力成本过高，明显不符合现代半导体产业的需求。

再者，近年来集成电路制程不断演进，该晶片2的体积持续缩减连带造成该引线框架12的面积随之缩小，因此采用现有的研磨机台或现有的磨砂橡皮擦更加难以将该引线框架12表面的残胶31确实去除，加上该引线框架12的暴露面积狭小，一旦被该基板1的残胶31覆盖极有可能使该引线框架12发生接触不良的情形，而导致整颗晶片2成为瑕疵品。此外，该基板1的散热座11与引线框架12之间以及各该引线框架12之间的间隙亦随之缩减，为了在封胶程序执行的过程中使所述的胶体原料能够顺利渗透到上述间隙内，并且提升所述封胶程序的执行效率，先进的QFN晶片封装制程多采用浓度较低的胶体原料来成形该胶体3，却也直接导致该胶体原料的溢胶情形加剧，所形成胶体3甚至有完全覆盖该引线框架12的情形发生。据此，该胶体3因溢胶所产生的残胶31已然成为晶片封装制程中急需解决的问题。

综上所述，亟需提供一种进一步改良的QFN封装晶片的除胶方法，以改善上述晶片2封装完成后，其该胶体3因溢胶所产生的残胶31难以去除的缺点，有效提升QFN封装晶片的生产良率。

发明内容

本发明的一目的是提供一种QFN封装晶片的除胶方法，藉由一运算单元对一基板的影像执行影像分析运算，以侦测该基板的引线框架受到一胶体因溢胶所形成的残胶覆盖的部分，能够设定一激光产生器的激光轨迹来烧蚀去除该残胶，以避免该晶片的引线框架发生接触不良的情形，具有提升QFN封装晶片的生产良率的功效。

本发明的另一目的是提供一种QFN封装晶片的除胶方法，于该晶片经由激光烧蚀完成后，重复拍摄该基板影像并与一样本影像进行比对，以检验该胶体的残胶经激光烧蚀后是否完全清除，能够再次确认该残胶是否成功除去，具有进一步提升该晶片的封装质量的功效。

为达到前述发明目的，本发明所运用的技术手段包含有：