[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构以及位于 所述栅极结构两侧的侧壁结构；

在所述半导体衬底中形成低掺杂漏极；

去除位于所述侧壁结构外侧的半导体衬底中的所述低掺杂漏极 部分，以形成第一沟槽；

在所述侧壁结构和剩余的所述低掺杂漏极的侧壁上形成牺牲层；

蚀刻所述半导体衬底，以在其中形成第二沟槽；

沉积应力掩埋层，以填充所述第二沟槽；

蚀刻所述应力掩埋层，以去除所述应力掩埋层位于所述牺牲层的 侧壁外侧的部分；

去除所述牺牲层，并在露出的所述半导体衬底上形成作为重掺杂 源/漏区的材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低掺杂漏极 中含有具有应力的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对于所述半导体 衬底中的NMOS区而言，所述应力材料为碳硅；对于所述半导体衬 底中的PMOS区而言，所述应力材料为锗硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述低掺杂 漏极的工艺步骤包括：以所述侧壁结构为掩膜，通过先干法蚀刻再湿 法蚀刻的工艺在所述半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中外延生长 所述应力材料的同时，通过低掺杂离子注入在所述应力材料中形成掺 杂物质。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述凹槽的一端 延伸至所述栅极结构的正下方。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对于所述半导体 衬底中的NMOS区而言，所述低掺杂离子注入的掺杂离子为磷离子 或者砷离子，对于所述半导体衬底中的PMOS区而言，所述低掺杂 离子注入的掺杂离子为硼离子或者铟离子。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用先干法蚀刻 再湿法蚀刻的工艺形成所述第二沟槽，所述第二沟槽的位于所述侧壁 结构和剩余的所述低掺杂漏极的下方的部分的长度为2nm-10nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积为具有 可流动性的化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于所述半导体 衬底中的NMOS区而言，所述应力掩埋层具有张应力；对于所述半 导体衬底中的PMOS区而言，所述应力掩埋层具有压应力。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过外延工艺或 者先沉积后化学机械研磨的工艺形成所述作为重掺杂源/漏区的材料 层。

11.一种采用权利要求1-10之一所述的方法制造的半导体器件。

12.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求11所述的半导 体器件。