[发明专利]一种湿法清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种湿法清洗装置。

背景技术

随着集成电路制造工艺的不断发展，晶圆上关键尺寸持续缩小，在接受 其它工艺之前，晶圆表面必须洁净，因此湿法清洗工艺在整个集成电路制造 工艺中十分重要。

湿法清洗通常为采用化学药液和去离子水等一系列工艺步骤，去除晶圆 表面上的玷污，包括但不限于：颗粒物、有机残留、金属污染物，以及自然 氧化层等。随着对晶圆表面洁净度的要求提高，湿法清洗正在由传统的槽式 清洗向单片式清洗转变。

但是，湿法清洗中常常采用各种酸性溶液，在清洗过程中，尤其是温度 较高的条件下，酸性溶液挥发产生酸雾，酸雾易于在喷嘴处凝结形成结晶， 势必会再次掉落在晶圆上，形成颗粒沾污，降低晶圆之良率。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验， 积极研究改良，于是有了本发明一种湿法清洗装置。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的湿法清洗中常常采用各种酸性溶液， 在清洗过程中，尤其是温度较高的条件下，酸性溶液挥发产生酸雾，酸雾易 于在喷嘴处凝结形成结晶，势必会再次掉落在晶圆上，形成颗粒沾污，降低 晶圆之良率等缺陷提供一种湿法清洗装置。

为了解决上述问题，本发明提供一种湿法清洗装置，所述湿法清洗装置， 包括：承载平台，旋转设计，并用于承载待清洗之晶圆；喷嘴，用于喷射清 洗溶剂，并与所述待清洗之晶圆呈面向设置；支撑架，固定设置在所述承载 平台之一侧的上方；吸雾装置，设置在所述支撑架上，并通过气体管路与抽 气装置连通，用于吸收且排出所述喷嘴产生的酸雾。

可选地，所述吸雾装置呈圆台设计，且所述吸雾装置与所述气体管路连 接的一端较所述吸雾装置面向所述待清洗晶圆之一端的底面积小。

可选地，所述吸雾装置的角度和位置依据所述喷嘴处之清洗药液和流量 的大小进行设定。

可选地，所述支撑架为环形设计，所述吸雾装置可沿着所述环形设计的 支撑架移动，并进行角度调整。

综上所述，本发明湿法清洗装置通过在所述旋转设置的承载平台之一侧 的上方设置所述吸雾装置，并将所述吸雾装置通过所述气体管路与所述抽气 装置连通，有效的吸收高温条件下因酸性溶液挥发所产生的酸雾，并通过所 述气体管路和抽气装置排出，避免了所述酸雾在喷嘴处凝结形成结晶，杜绝 形成颗粒沾污，提升晶圆之良率。

附图说明

图1所示为本发明湿法清洗装置的结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下 面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

请参阅图1，图1所示为本发明湿法清洗装置的结构示意图。所述湿法清 洗装置1，包括：承载平台11，所述承载平台11旋转设计，并用于承载待清 洗之晶圆2；喷嘴12，所述喷嘴12用于喷射清洗溶剂，并与所述待清洗之晶 圆2呈面向设置；支撑架13，所述支撑架13固定设置在所述承载平台11之 一侧的上方；吸雾装置14，所述吸雾装置14设置在所述支撑架13上，并通 过气体管路15与抽气装置16连通，用于吸收且排出所述喷嘴12产生的酸雾。

作为本领域技术人员，容易理解地，在高温条件下进行湿法清洗时，酸 性溶液挥发产生酸雾，酸雾势必通过所述吸雾装置14吸收，并通过所述气体 管路15和抽气装置16排出，避免了所述酸雾在喷嘴处凝结形成结晶，杜绝 形成颗粒沾污，提升晶圆之良率。

为了更直观的揭露本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现结合 具体的实施方式进行阐述。为了更好的实施本发明之技术方案，作为具体地 实施方式，优选地，所述吸雾装置14呈圆台设计，且所述吸雾装置14与所 述气体管路15连接的一端较所述吸雾装置14面向所述待清洗晶圆2之一端 的底面积小。所述吸雾装置14的角度和位置依据所述喷嘴12处之清洗药液 和流量的大小进行设定。更具体地，所述支撑架13为环形设计，所述吸雾装 置14可沿着所述环形设计的支撑架13移动，并进行角度调整。