[发明专利]光刻胶剥离方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种光刻胶剥离方法，特别是关于一种以流体剥离光刻胶的光刻胶剥离方法。

背景技术

现有习知凸块制造工艺包含：在基板上形成光刻胶层；对该光刻胶层进行曝光/显影，以图案化该光刻胶层；在图案化的该光刻胶层中镀上凸块；最后再将图案化的该光刻胶层移除而完成凸块制造工艺。其中在移除光刻胶的工艺中，一般是将覆盖有该光刻胶层的该基板浸入光刻胶剥离液中，使得该光刻胶层产生膨润、裂解而由该基板上剥离，但根据不同的产品需求考虑，制程中所使用的光刻胶材料及光刻胶剥离液的种类皆不相同，而造成现有习知技术在光刻胶剥离的工艺中常因将该基板浸入光刻胶剥离液的时间过长而导致凸块的散落或是导致该基板的保护层的损坏。反之，若该基板浸入光刻胶剥离液的浸泡时间过短，则易导致光刻胶层的残留，而影响凸块制造工艺的良率。此外，在凸块制造工艺中由于凸块需具有一定的厚度，因此，该光刻胶层的厚度也需涂布有相对的厚度，而导致于光刻胶剥离液浸泡的时间较长，且光刻胶剥离液的使用量也较多，而造成环境上的负担以及制作成本的增加。有鉴于上述现有的光刻胶剥离方法存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的光刻胶剥离方法，能够改进一般现有的光刻胶剥离方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的光刻胶剥离方法存在的缺陷，而提供一种新的光刻胶剥离方法，所要解决的技术问题是借由流体冲刷覆盖有光刻胶的半导体基板，以使光刻胶层由半导体基板上剥离，可大幅减少浸泡化学液的时间，并减少化学液的用量，且由于浸泡化学液的时间较短，本发明的光刻胶剥离方法并不会影响半导体基板的结构，而可大幅提升生产的良率，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种光阻剥离方法，其包含：半导体基板，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该焊垫位于该基板的表面，该保护层覆盖该基板及该焊垫，且该保护层具有开口，该开口显露该焊垫，该凸块下金属层覆盖该保护层，该凸块设置于该凸块下金属层上，该凸块具有侧面，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的该侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，其中该第一接合界面具有第一接合强度，该第二接合界面具有第二接合强度；

提供上述半导体基板进行以下步骤：

一、浸泡步骤，将该半导体基板浸泡至化学液中，使该化学液接触该图案化光刻胶层，且该化学液渗入该第一接合界面中，使该第一接合界面的该第一接合强度转变为第三接合强度，该第二接合界面的该第二接合强度转变为第四接合强度，其中该第三接合强度小于该第一接合强度；以及

二、剥离步骤，以流体冲刷该半导体基板，该流体具有冲击力，该冲击力大于该第三接合强度及该第四接合强度，以使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，以显露该凸块的该侧面及该凸块下金属层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的第四接合强度小于该第二接合强度。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的流体为二流体(two-phaseflow)。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的流体的流量介于3升/分钟至5升/分钟之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的剥离步骤中，是以喷嘴喷出该流体，且该喷嘴至该半导体基板具有间距，该间距介于0.2公分至1公分之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的流体冲刷该半导体基板具有冲刷时间，该冲刷时间介于10秒至30秒之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的半导体基板浸泡至该化学液中具有浸泡时间，该浸泡时间介于1分钟至40分钟之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的流体可选自于去离子水(DIW)混合氮气或二氧化碳。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的凸块具有高度，该凸块的该高度介于150μm至200μm之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的图案化光阻层具有高度，该图案化光阻层的该高度介于150μm至200μm之间。

前述的光刻胶剥离方法，其中所述的剥离步骤前包含有清洗步骤，以清除残留于该基板的背面的该化学液。