[发明专利]光刻胶剥离方法

权利要求书

1.一种光刻胶剥离方法，其包含：

半导体基板，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该焊垫位于该基板的表面，该保护层覆盖该基板及该焊垫，且该保护层具有开口，该开口显露该焊垫，该凸块下金属层覆盖该保护层，该凸块设置于该凸块下金属层上，该凸块具有侧面，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的该侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，其中该第一接合界面具有第一接合强度，该第二接合界面具有第二接合强度；

其特征在于提供该半导体基板进行以下步骤：

一、浸泡步骤，将该半导体基板浸泡至化学液中，使该化学液接触该图案化光刻胶层，且该化学液渗入该第一接合界面中，使该第一接合界面的该第一接合强度转变为第三接合强度，该第二接合界面的该第二接合强度转变为第四接合强度，其中该第三接合强度小于该第一接合强度；以及

二、剥离步骤，以流体冲刷该半导体基板，该流体具有冲击力，该冲击力大于该第三接合强度及该第四接合强度，以使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，以显露该凸块的该侧面及该凸块下金属层。

2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的第四接合强度小于该第二接合强度。

3.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的流体为二流体。

4.根据权利要求3所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的流体的流量介于3升/分钟至5升/分钟之间。

5.根据权利要求4所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的剥离步骤中，是以喷嘴喷出该流体，且该喷嘴至该半导体基板具有间距，该间距介于0.2公分至1公分之间。

6.根据权利要求5所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的流体冲刷该半导体基板具有冲刷时间，该冲刷时间介于10秒至30秒之间。

7.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的半导体基板浸泡至该化学液中具有浸泡时间，该浸泡时间介于1分钟至40分钟之间。

8.根据权利要求3所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的流体可选自于去离子水混合氮气或二氧化碳。

9.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的凸块具有高度，该凸块的该高度介于150微米至200微米之间。

10.根据权利要求1或9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的图案化光刻胶层具有高度，该图案化光刻胶层的该高度介于150微米至200微米之间。

11.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的剥离步骤前包含有清洗步骤，以清除残留于该基板的背面的该化学液。

12.根据权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于其中所述的剥离步骤后包含干燥步骤，以去除水分。