[发明专利]固体摄像装置在审
申请号: | 201410439767.4 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104900664A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 杉浦裕树 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 | ||
1.一种固体摄像装置,具备:
半导体层,设有对入射的光进行光电变换的多个光电变换元件;
有机光电变换层,设置在上述半导体层的受光面侧,吸收规定波长区域的光并进行光电变换,使上述规定波长区域以外的波长区域的光透射;以及
微透镜,设置在隔着上述有机光电变换层而与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置,将入射的光向上述光电变换元件聚光。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,
上述有机光电变换层吸收与绿色对应的上述规定波长区域的光。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置,具备:
第一透明电极,设置在上述有机光电变换层的受光面侧;以及
多个第二透明电极,设置在上述有机光电变换层的、与受光面侧相反的面侧,
上述有机光电变换层以及上述第一透明电极设置为,覆盖包含上述多个光电变换元件的受光面侧在内的区域,
上述第二透明电极设置为,覆盖将该第二透明电极向上述半导体层投影而形成的投影区域的一部分所邻接的上述光电变换元件的受光面侧的一部分。
4.如权利要求1所述的固体摄像装置,
上述微透镜的设置面积比所对置的上述光电变换元件的受光面的面积大。
5.如权利要求3所述的固体摄像装置,还具备:
存储二极管,设置在上述半导体层的内部的与受光面侧相反的面侧,对由上述第二透明电极聚集的电荷进行保持;
接触插塞,埋设在上述半导体层内,将上述第二透明电极与上述存储二极管连接,将上述电荷从上述第二透明电极向上述存储二极管排出;
浮置扩散部,设置在上述半导体层的内部的与受光面侧相反的面侧,对从上述存储二极管传送的上述电荷进行蓄积;以及
读取用栅极,设置在上述半导体层的与受光面侧相反的表面侧,将上述电荷从上述存储二极管向上述浮置扩散部传送。
6.如权利要求3所述的固体摄像装置,
俯视时,上述微透镜的中心位置与上述光电变换元件的中心位置一致,并且上述微透镜设置在从上述第二透明电极的中心位置偏离的位置。
7.如权利要求1所述的固体摄像装置,
还具备滤色器,上述滤色器设置在上述半导体层与上述有机光电变换层之间的、与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置,将上述规定波长区域以外的波长区域的光透射。
8.如权利要求1所述的固体摄像装置,
还具备遮光部件,上述遮光部件设置在上述半导体层中的、相邻的上述光电变换元件间的区域的、光入射的一侧,对光进行遮光。
9.如权利要求3所述的固体摄像装置,还具备:
存储二极管,设置在上述半导体层的内部的与受光面侧相反的一侧,对由上述第二透明电极聚集的电荷进行保持;
浮置扩散部,与上述存储二极管邻接地设置,对从上述存储二极管传送的上述电荷进行蓄积;以及
放大晶体管,设置在上述半导体层的内部的与受光面侧相反的一侧,栅极经由布线与上述浮置扩散部连接,对蓄积在该浮置扩散部的电荷进行放大。
10.如权利要求1所述的固体摄像装置,
还具备滤色器,上述滤色器设置在隔着绝缘膜而与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置,将上述规定波长区域的光、和比该规定波长区域短的波长区域的光或比该规定波长区域长的波长区域的光透射。
11.如权利要求1所述的固体摄像装置,具备:
第一透明电极,设置在上述有机光电变换层的受光面侧;以及
多个第二透明电极,设置在上述有机光电变换层的与受光面侧相反的面侧,
上述有机光电变换层以及上述第一透明电极设置为,覆盖包含上述多个光电变换元件的受光面侧在内的区域,
上述第二透明电极设置在与上述多个光电变换元件的各受光面分别相对置的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的