[发明专利]一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管

权利要求书

1.一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中裸露的欧姆接触层表面形成扩展电极，在粗化层表面形成焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。

2.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：沟槽设置为“一”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

3.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：沟槽设置为“十”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

4.如权利要求1所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：沟槽设置为“Г”字型，设置为四个，在四个沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极，焊盘电极设置在粗化层表面中心区域，与四个沟槽形成扩展电极分别连接导通。

5.如权利要求1至4任一项所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：发光结构包括第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型限制层，第一型限制层上设置第一型电流扩展层，第一型电流扩展层上设置欧姆接触层，欧姆接触层上设置粗化层；有源层另一侧设置第二型限制层，第二型限制层上设置第二型电流扩展层。

6.如权利要求5所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：第二型电流扩展层上设置金属反射层。

7.如权利要求6所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：金属反射层键合在基板上，基板上设置背电极。

8.如权利要求5所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：粗化层的厚度为1.5-2μm。

9.如权利要求5所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：粗化层材料包括Al_xGa_1-xAs、(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，1≥x≥0，1≥y≥0。

10.如权利要求5所述的一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，其特征在于：欧姆接触层材料包括Al_xGa_1-xAs、(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，0.1≥x≥0，0.05≥y≥0；欧姆接触层的厚度为50-200nm。