[发明专利]一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法在审
| 申请号： | 201410411975.3 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104134612A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;雷通;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修复 介质 常数 薄膜 侧壁 损伤 方法 | ||
1.一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，包括：
步骤S01：在半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；
步骤S02：对所述低介电常数层表面进行氧气等离子体处理，并在所述低介电常数层表面形成氧化层；
步骤S03：向所述低介电常数层表面形成的氧化层中掺入碳元素；
步骤S04：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；
步骤S05：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层；
步骤S06：采用刻蚀工艺在所述金属硬质掩膜层、介电阻挡层、氧化层和低介电常数层所形成层叠结构中形成沟槽。
2.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，步骤S03中，向所述氧化层掺入碳元素之前或之后，向所述低介电常数层掺入碳元素。
3.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，向所述氧化层中掺入碳元素的深度大于所述氧化层的深度。
4.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，掺入碳元素的方法是离子注入或者等离子体掺杂。
5.如权利要求4所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，向所述氧化层掺入的是碳原子或者含碳的分子。
6.如权利要求5所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，向所述氧化层掺入C7Hx或者C16Hx。
7.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述低介电常数层采用等离子体化学气相沉积或者旋涂-凝胶法形成，所述低介电常数层的介电常数为2.2-2.8。
8.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述金属硬质掩膜层的材质为Ta或Ti或W或TaN或TiN或WN。
9.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述步骤S1中的介电阻挡层的材质为SiN或SiCN。
10.如权利要求1所述的修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述氧化层的材质为SiO2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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