[发明专利]一种CMOS器件制造方法在审
| 申请号： | 201410411754.6 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105355596A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪;何凡凡 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件制造方法，所述CMOS器件包括高压器件部分和低压器件部分，其特征在于，包括：
在衬底表面生长第一栅极氧化层；
在高压器件部分的第一栅极氧化层表面涂覆光刻胶，并对所述第一栅极氧化层进行光刻；
对所述第一栅极氧化层进行刻蚀，以刻蚀掉低压器件部分的第一栅极氧化层；
在所述衬底表面生长第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层的厚度小于所述第一栅极氧化层的厚度；
在高压器件部分的第一栅极氧化层表面涂覆光刻胶，并对所述第一栅极氧化层进行光刻；
对所述衬底进行阈值注入；
在所述第一栅极氧化层以及第二栅极氧化层上生长多晶硅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一栅极氧化层进行刻蚀后，还包括：去除所述光刻胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底阈值注入后，还包括：去除所述光刻胶。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一栅极氧化层进行刻蚀包括：使用湿法刻蚀技术对所述第一栅极氧化层进行刻蚀。
5.一种互补金属氧化物半导体CMOS器件制造方法，所述CMOS器件包括高压器件部分和低压器件部分，其特征在于，包括：
在衬底表面生长第一栅极氧化层；
在高压器件部分的第一栅极氧化层上涂覆光刻胶，并对所述第一栅极氧化层进行光刻；
对所述第一栅极氧化层进行刻蚀，以将低压器件部分的第一栅极氧化层刻蚀为厚度为第一厚度的第二栅极氧化层，所述第一厚度小于第一栅极氧化层的厚度；
对所述衬底进行阈值注入；
在所述第一栅极氧化层以及第二栅极氧化层上生长多晶硅。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述衬底进行阈值注入后，还包括：去除所述光刻胶。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对所述第一栅极氧化层进行刻蚀包括：使用离子铣刻蚀技术对所述第一栅极氧化层进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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