[发明专利]液晶透镜制作方法及液晶透镜在审
申请号: | 201410393200.8 | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN104102063A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 王东岳;吴振忠;陈魁;杨亮;何基强;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G02F1/29 | 分类号: | G02F1/29 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 516600 广东省汕尾*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 透镜 制作方法 | ||
1.一种液晶透镜的制作方法,其特征在于,包括:
步骤1:获得液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的理想分布曲线,记为理想曲线;
步骤2:根据所述理想曲线制作第二透明高阻层,所述第二透明高阻层中的阻抗分布与所述理想曲线中的光程差分布相匹配;
步骤3:利用所述第二透明高阻层制作液晶透镜。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,根据所述理想曲线制作第二透明高阻层包括:
步骤201:获得参考液晶透镜,所述参考液晶透镜中的透明高阻层记为第一透明高阻层;
步骤202:对所述参考液晶透镜进行检测,获得所述参考液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的分布曲线,记为参考曲线,所述参考曲线与所述理想曲线为同一屈光度下的光程差分布曲线;
步骤203:对比所述参考曲线和理想曲线,获得液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处,第一透明高阻层的阻抗修正系数;
步骤204:根据液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处,第一透明高阻层的阻抗修正系数,对第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗值进行修正,得到第二透明高阻层。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,对比所述参考曲线和理想曲线,获得液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处,第一透明高阻层的阻抗修正系数包括:
步骤2031:对比所述参考曲线和理想曲线,获得液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的修正系数;
步骤2032:根据所述液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的修正系数,对第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗进行修正;
步骤2033:获得利用修正后的第一透明高阻层制作的液晶透镜中,距离液晶透镜中心不同位置处光程差的分布曲线,记为修正曲线;
步骤2034:对比所述参考曲线和修正曲线,重新获得液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的修正系数;
步骤2035:根据重新获得的液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的修正系数,对修正后的第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗进行再次修正;
重复步骤2033-步骤2035,直至获得的修正曲线与理想曲线相吻合,对比此时第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗值与所述第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的原始阻抗值,获得第一透明高阻层的阻抗修正系数。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,对第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗进行修正包括:
在所述第一透明高阻层阻抗需要降低的区域,增加透明低阻环。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述透明低阻环的形状为圆环。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述透明低阻环沿电流方向的电阻不大于所述第一透明高阻层在相同位置沿电流方向电阻的10%。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述透明低阻环的宽度范围0μm-5μm,包括右端点值。
8.根据权利要求2-7任一项所述的制作方法,其特征在于,对第一透明高阻层距离液晶透镜中心不同位置处的阻抗进行修正还包括:
对所述第一透明高阻层阻抗需要提高的区域进行刻蚀,在所述第一透明高阻层阻抗需要提高的区域设置环形凹槽。
9.一种液晶透镜,利用权利要求1-8任一项所述制作方法制作,其特征在于,包括:
相对设置的第一基板和第二基板;
位于所述第一基板与第二基板之间的液晶层;
位于所述液晶层朝向所述第一基板和第二基板一侧的配向膜;
位于所述第一基板朝向所述液晶层一侧的第二透明高阻层,所述第二透明高阻层中的阻抗分布与液晶透镜中距离液晶透镜中心不同位置处光程差的理想分布曲线中的光程差分布相匹配;
位于所述第一基板朝向所述第二透明高阻层一侧的第一电极和第二电极,其中,所述第二电极为环形电极,所述第一电极为透明电极,且位于所述第二电极的环形区域内;
位于所述第二基板朝向所述液晶层一侧的第三电极。
10.根据权利要求9所述的液晶透镜,其特征在于,所述第一电极与所述第二透明高阻层之间设置有绝缘层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410393200.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。