[发明专利]气路界面显示方法和系统有效

专利信息
申请号: 201410393050.0 申请日: 2014-08-12
公开(公告)号: CN105446275B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 李兰晓 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: G05B19/418 分类号: G05B19/418;H01L21/67
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 李芙蓉
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 气体管路 下位机 气路 读取 界面显示 上位机 种类数 工艺腔室 均匀显示 控制气路 提示信息 通道显示 通道增加 位置显示 有效解决 边缘处 位机 预设 存储 提示 配备 检测
【说明书】:

发明公开了一种气路界面显示方法和系统,其中方法包括如下步骤:步骤S100,根据上位机所能配备的气体种类总数和下位机所需气体种类数,计算步长参数,并在气路界面中第一路气体管路的位置显示所需气体种类中第一种气体的气体管路信息;步骤S200,检测步长参数,当步长参数大于或等于预设值时,控制气路界面中气体管路的位置以步长参数为间隔,均匀显示所需气体种类中其他气体的气体管路信息。其通过在下位机工艺腔室的通道增加下位机通道,并读取下位机通道显示的所需气体种类数,减少了上位机存储并读取XML配置文件的空间和时间的浪费,有效解决了现有的气路界面边缘处的提示信息不能很好地起到提示作用的问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域,特别是涉及一种气路界面显示方法和系统。

背景技术

半导体制造设备中,执行工艺时,通常用到很多不同种类的工艺气体。工艺气体进入工艺腔室,在上电极的作用下形成等离子体用于进行刻蚀、PVD(Physical VaporDeposition,物理气相沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)等工艺,因此,气路系统是工艺腔室的一个重要辅助系统,通常气路系统包括摆阀、干泵、分子泵、气路管道和MFC(Mass Flow Controller,气体流量控制器)等装置。通过对半导体制造设备设置特定的控制软件,实现对半导体制造设备配备的气体名称、气体流量、阀门状态等信息的实时显示,不同工艺需求的半导体制造设备,气体的配备不同,其区别主要包括:气体个数、气体种类、是否为特性气体等。

目前,气体管路界面显示如图1所示(以16路气体为例),当半导体制造设备配备的气体种类发生变化时,如半导体制造设备只需配置前6路气体时,需要手动修改XML配置文件,以实现对半导体制造设备所需配备的气体的名称、是否存在Purge阀、是否已连接等属性进行修改,并通过解析该配置文件获取相关信息,将气体管路信息通过界面显示出来(如图2所示)。由于当半导体制造设备需要配备的气体种类发生改变时,需要修改XML配置文件并通过读取该配置文件获取相关信息,才能将气体管路信息显示出来,因此,耗时较长,在时间和空间上造成了一定的浪费;并且,当半导体制造设备需要配备的气体种类较少时,界面边缘处的提示信息很难起到提示作用。

发明内容

基于此,有必要针对现有气路系统显示半导体制造设备配置的气体相关信息耗时较长的问题,提供一种气路界面显示方法和系统。

为实现本发明目的提供的一种气路界面显示方法,包括如下步骤:

步骤S100,根据上位机所能配备的气体种类总数和下位机所需气体种类数,计算步长参数,并在气路界面中第一路气体管路的位置显示所需气体种类中第一种气体的气体管路信息;

步骤S200,检测所述步长参数,当所述步长参数大于或等于预设值时,控制所述气路界面中气体管路的位置以所述步长参数为间隔,均匀显示所述所需气体种类中其他气体的所述气体管路信息。

其中,所述预设值的取值为2。

其中,所述步骤S200包括如下步骤:

步骤S210,检测所述步长参数;

步骤S220,当所述步长参数大于或等于所述预设值时,控制所述气路界面中第1加所述步长参数路气体管路的位置显示所述所需气体种类中第二种气体的所述气体管路信息;

步骤S230,将N的值增大所述步长参数,将M的值增大1;其中,N为整数,且初始值为1与所述步长参数之和;M为整数,初始值为2;

步骤S240,控制所述气路界面中所述第N路气体管路的位置显示所述所需气体种类中第M种气体的所述气体管路信息。

其中,所述步骤S200还包括如下步骤:

步骤S250,检测所述气路界面是否显示全部所述所需气体种类的所述气体管路信息;

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