[发明专利]消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法

权利要求书

1.一种消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，包括：

获取多孔介质薄片；

将所述多孔介质薄片在加热的景深消除剂中加压浸泡，得到具流体景深消除剂填充层的多孔介质薄片；

对所述具流体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行处理，得到具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片；

对所述具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行聚焦离子束扫描电镜成像。

2.如权利要求1所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，获取多孔介质薄片，包括：

对多孔介质材料进行加工得到所述多孔介质薄片，所述多孔介质材料内部有微纳米空隙结构。

3.如权利要求1所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，对所述具流体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行处理，得到具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片，包括：

通过冷冻干燥或固化的方式对所述具流体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行处理，得到具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片。

4.如权利要求1所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，所述景深消除剂是熔点大于35度的饱和烃类纯净物、熔点大于35度的烃类混合物或者是在预设条件下发生固化的胶粘剂。

5.如权利要求1所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，将所述多孔介质薄片在加热的景深消除剂中加压浸泡时，加压的压力值范围是0兆帕至40兆帕。

6.如权利要求1所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，所述多孔介质薄片的厚度范围是0.1厘米至2厘米，直径小于12厘米。

7.如权利要求1至6任一项所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，所述具流体景深消除剂填充层的多孔介质薄片表层100微米内完全填充加热的景深消除剂。

8.如权利要求1至6任一项所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，对所述具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行聚焦离子束扫描电镜成像，包括：

选择小于等于30千伏的离子束加速电压和小于等于0.79纳安的束流的离子束进行离子刻蚀获得截面，并采用电子束及背散射探头对所述具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行聚焦离子束扫描电镜成像。

9.如权利要求1至6任一项所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，对所述具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片进行聚焦离子束扫描电镜成像，包括：

将所述具固体景深消除剂填充层的多孔介质薄片制备成扫描电镜样品；

获得所述扫描电镜样品的截面，对所述截面进行聚焦离子束扫描电镜成像。

10.如权利要求9所述消除聚焦离子束扫描电镜成像时的景深假像的方法，其特征在于，获得所述扫描电镜样品的截面，包括：通过聚焦离子束扫描电镜刻蚀或离子束截面抛光的方式获得所述扫描电镜样品的截面。