[发明专利]一种用于高真空的加热电阻材料的选择

权利要求书

1.一种高纯度材料加热处理用腔室、尤其适用于薄膜生长的衬底加热系统的加热电阻材料的选择，不采用常规的钨片或钼片的加热电阻，最终选取等静压制作的石墨材料作为加热电阻材料；由于该石墨的较小的出气速率，可以保证在高温下腔室仍然可以达到高真空的要求；此外，该石墨材料硬而不脆、密度较小，非常有利于加工和安装。

2.根据权利要求1所述的加热系统，其特征在于：至少包含被加热样品、加热部件、样品的承载平台即载具、加热电极；被加热样品、载具、加热热阻三者紧密贴合；加热部件至少还包含一组电极，还可添加多组温度控制器件。

3.根据权利要求2所述的载具也可以替换为石墨材料，利用石墨材料的高的导热性，最大程度降地得到温度均匀的载具及衬底。

4.根据权利要求2所述的被加热样品，即即薄膜生长的衬底，其特征在于：任何可用于薄膜生长的衬底，此类衬底包含：铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)、铂(Pt)、金(Au)、铬(Cr)、镁(Mg)、锰(Mn)、钼(Mo)、钌(Rh)、钽(Ta)、钛(Ti)、铑（Rh）、钨(W)、硅（Si）、碳化硅（SiC）中的一种或任意两种以上的组合。