[发明专利]ITO导电玻璃及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410387915.2 申请日: 2014-08-07
公开(公告)号: CN104166285A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 刘玉华;方凤军;陈立;谭伟;杜晓峰 申请(专利权)人: 宜昌南玻显示器件有限公司
主分类号: G02F1/135 分类号: G02F1/135
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 生启
地址: 443000*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: ito 导电 玻璃 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于LCD的无色高透ITO导电玻璃及其制备方法。

背景技术

ITO导电玻璃是在钠钙基片或硅硼基基片玻璃的基础上,利用磁控溅射的方法依次沉积二氧化硅(SiO2)和氧化铟锡(通称ITO)薄膜加工制作成的。

ITO是一种具有良好透明导电性能的金属化合物,具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性,ITO导电玻璃广泛地应用于平板显示器件、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域,是目前LCD、PDP、OLED、触摸屏等各类平板显示器件广泛采用的透明导电电极材料。作为平板显示器件的关键基础材料,ITO导电玻璃其随着平板显示器件的不断更新和升级而具有更加广阔的市场空间。

LCD用ITO导电玻璃多采用在玻璃上镀SiO2+ITO两层膜结构,最高透过率达不到90%,且ITO导电玻璃的透过率随ITO膜层厚度变化而呈现周期性变化,在个别ITO膜层厚度时透过率低至77%左右,影响LCD的视觉效果。

发明内容

基于此,有必要提供一种在使用时视觉效果较好的ITO导电玻璃及其制备方法。

一种ITO导电玻璃,用于LCD,包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层以及ITO层;

所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2

所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4

所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2

所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4

所述第三低折射率层的材料为SiO2或MgF2

所述第一低折射率层的厚度为

所述第一高折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述第一低折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述第一高折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述第二低折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述第二高折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述第三低折射率层的厚度为

在一个实施例中,所述ITO导电玻璃的面电阻为5欧姆~7欧姆、10欧姆~15欧姆、12欧姆~17欧姆、14欧姆~20欧姆、17欧姆~25欧姆、20欧姆~30欧姆、30欧姆~45欧姆、35欧姆~50欧姆、40欧姆~60欧姆、60欧姆~80欧姆、80欧姆~120欧姆、100欧姆~150欧姆、125欧姆~200欧姆等。

在一个实施例中,所述ITO层的厚度为

一种ITO导电玻璃的制备方法,包括如下步骤:

提供玻璃,清洗后干燥;

在清洗后的所述玻璃表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层和ITO层,得到所述ITO导电玻璃,其中,所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2,所述第一高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4,所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2,所述第二高折射率层的材料为Nb2O5、TiO2、ZrO2或Si3N4,所述第三低折射率层的材料为SiO2或MgF2,所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为

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