[发明专利]真空镀膜装置及其真空镀膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空镀膜装置及其真空镀膜方法，尤其涉及一种有机发光显示器件(OLED)面板或太阳能面板生产中可在镀膜过程中进行全程监控并了解玻璃基片的镀膜厚度和膜厚速率的真空镀膜装置及其真空镀膜方法。

背景技术

玻璃基材等薄板已广泛用于制造LCD-TFT显示屏、有机发光显示器件(OLED)面板、太阳能面板应用及其他类似者。于此类应用中大多在洁净玻璃上镀覆薄膜，这类大型玻璃基材的制程通常包含实施多个连续步骤，包括如化学气相沉积制程(CVD)、物理气相沉积制程(PVD)、有机物质蒸镀、磁控溅射沉积或蚀刻制程。

由于上述制程的工艺要求均比较严格，尤其是有机物质蒸镀制程，不但需要在完全洁净的空间环境中进行，而且对于玻璃基片的镀膜厚度的要求也相当严格，需要工作人员可以在镀膜过程中做到全程监控，随时了解镀膜厚度，做到速率镀膜，参考图1和图2，传统真空镀膜装置100包括主腔室11、副腔室12、晶振传感器13、挡板14、安装在主腔室11内的基片传输机构15和安装在副腔室内的线性蒸发源16，所述主腔室11位于副腔室12上方并通过挡板14隔开，使用上述传统的真空镀膜装置100对玻璃基片102进行镀膜时，打开真空泵，直至主腔室11内的真空度达到预定值，将待镀膜的玻璃基片102通过基片传输机构15传送至主腔室11内的相应位置，打开挡板14开始镀膜(参考图2)，为了检测玻璃基片102的膜厚状况，将晶振传感器13的晶振片131安装在线性蒸发源16的上方，因此对玻璃基片102镀膜的同时，蒸镀材料也不断的蒸镀到晶振传感器13的晶振片131上，晶振传感器13通过检测晶振片131的频率变化，计算出蒸镀的材料质量，通过材料整理计算出材料的厚度，从而达到全程监测蒸镀过程，了解玻璃基片102膜厚状况的目的。

然而，由于上述晶振传感器13的晶振片131安装在副腔室12的内部，而且离线性蒸发源16比较近，这样计算出的膜厚相对准确，但由于大量的材料不断的蒸发到晶振片131上，同时会造成晶振片131的使用寿命过短，无法长时间使用；另一方面，晶振片安装在副腔室12的内部，使得更换晶振片时，不可避免的破坏镀膜用的主腔室11和副腔室12内的真空环境。

因此，急需一种延长晶振片使用寿命、同时方便更换晶振片的真空镀膜装置。

发明内容

本发明的目的是提供一种延长晶振片使用寿命，同时方便更换晶振片的真空镀膜装置。

本发明的目的是提供一种延长晶振片使用寿命，同时方便更换晶振片的真空镀膜的方法。

为了实现上述目的，本发明公开了一种真空镀膜装置，适用于对玻璃基片的真空镀膜，其包括主腔体、小腔体、蒸发管道、真空泵、晶振检测仪和设置有线性蒸发源的副腔体，所述主腔体内设置有用于玻璃基片传输的基片传输机构，所述主腔体位于所述副腔体上方并通过一可开闭的挡板与所述副腔体隔开，所述小腔体位于所述主腔体上方并通过一阀门与所述主腔体隔开，所述蒸发管道的入口与所述线性蒸发源相接触，所述蒸发管道的出口穿过所述挡板和主腔体朝向并临近所述阀门；所述晶振测试仪包括晶振片和检测机构，所述晶振片安装在所述小腔体内且位于所述蒸发管道出口的上方，所述检测机构测量晶振片本身的频率变化并计算出接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度和相应的测量膜厚速率；所述真空泵通过两条真空管道分别与主腔体和小腔体相连。

较佳地，所述检测机构包括与所述晶振片相连的输入单元、与所述输入单元相连的比较处理单元、与所述比较处理单元相连的存储单元，以及与所述比较处理单元输出端相连的命令单元，所述命令单元的输出端与所述挡板相连并用于控制所述挡板的开闭。本发明中检测机构用于检测所述晶振片的频率变化，并通过上述频率变化计算得出接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度和对应的膜厚测量速率，这种检测机构的结构简单且易于检测。

具体地，所述比较处理单元包括与所述输入单元相连的比较单元、与所述比较单元相连的计算单元，以及与所述计算单元相连的校正单元。由于线性蒸发源通过蒸发通道将蒸发材料分子传输到晶振检测仪的晶振片上，使得检测机构直接检测并出来的镀膜厚度与实际镀膜厚度之间存在一定的误差，需要通过校正单元的校正得到更接近实际镀膜厚度的数值，使得本发明检测机构计算出来的镀膜厚度比传统真空镀膜装置中晶振传感器检测出来的晶振片输出值更接近实际蒸发材料的镀膜厚度，使得本发明中晶振检测仪的检测精度高。