[发明专利]LCVD长线成膜修补品质监控装置及监控方法在审
| 申请号: | 201410379531.6 | 申请日: | 2014-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN105420694A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
| 发明(设计)人: | 郭晓辉;颜圣佑;黄俊杰;高印 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;石海霞 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | lcvd 长线 修补 品质 监控 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管(OLED)技术领域,尤其涉及一种LCVD长线成膜修补品质监控装置及监控方法。
背景技术
在OLED的制造过程中,V-line端(即阵列端,负责进行薄膜晶体管TFT部分的制造工艺)常常会因为粒子影响或其它工艺问题而造成断线(open),这大大增加了产品的报废率。为了能够降低产品的报废率,现有技术利用LCVD(激光化学气相沉积)设备来进行长线成膜修补,以使断线处可以正常导通,并最终将不良品变成正常产品。
然而,现有技术在前端并没有针对LCVD设备的长线成膜修补品质的监控措施,而是工程人员根据目测和经验来决定长线成膜的速度、宽度、厚度等参数,这导致LCVD设备的长线成膜修补品质很难得到保证。
此外,还经常发生组装完成并出货到客户端的产品因LCVD设备长线成膜修补不良而造成的产品不合格,从而导致因产品质量不佳而遭到客户的投诉。
另外,现有技术仅在后端组装成产品后才进行定期RA验证(即,产品成型后在严苛的环境(如高温、高湿等)下进行的可靠性测试),但由于RA验证的时效性较低(通常需要上百小时,且从阵列端到产品成型也需一定时间),因此,造成大量产品异常以及后端组装材料大量浪费。
综上所述,需要一种简便易行的方法来对LCVD设备的长线成膜修补品质进行监控。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的问题,提供一种LCVD长线成膜修补品质监控装置及监控方法,通过在面板的无效空白区上设置测试键(Testkey)来对LCVD设备的长线成膜修补品质进行监控。
为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种LCVD长线成膜修补品质监控装置,包括:至少两个测试键,分别设置在面板外围的无效空白区域上;LCVD长线成膜部件,在所述测试键的引脚之间进行长线成膜;以及TEG测试组件,分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量,并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
本发明的实施例还提供了一种LCVD长线成膜修补品质监控方法,包括以下步骤:将至少两个测试键分别设置在面板外围的无效空白区域上;在所述测试键的引脚之间进行长线成膜;以及分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量,并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
综上所述,本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置能够在前端有效地监控LCVD设备的长线成膜修补品质,从而提高了产品质量,避免了在后端进行RA验证所造成的时间和原材料的浪费,以及防止修补后不合格的产品出货到客户端所造成的客户投诉。
附图说明
图1为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置的结构示意图;以及
图2为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控方法的流程图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施例。应当注意,这里描述的实施例只用于举例说明,并不用于限制本发明。
图1为本发明的LCVD长线成膜修补品质监控装置的结构示意图。如图所示,该LCVD长线成膜修补品质监控装置,包括:至少两个测试键,设置在面板外围的无效空白区域上;LCVD长线成膜部件,在所述测试键的引脚之间进行长线成膜;以及TEG测试组件,分别对长线成膜后的所述测试键的电阻进行测量,并根据测量后的电阻值对LCVD长线成膜修补品质进行监控。
在一个实施例中,无效空白区包括面板内的无效区和面板间的无效区,通常面板内分为有效区(AA区,Activearea)和扇出区(fanoutarea),面板间的空隙也可以作为面板工艺监控的重要参考区。然而,由于面板内的扇出区多为面板驱动信号所在的区域,因此,为了不影响整体布局,通常不会将测试键(Testkey)设置在面板内的扇出区,而是将其设置在面板间的无效区,即图1中所示的无效区。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





