[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，包括半导体存储单元，所述半导体存储单元包括：

第一单元阵列，包括沿着与半导体衬底垂直的方向设置在第一层级的多个快闪存储器单元；

第一外围电路，被配置成控制所述第一单元阵列，并且设置在所述第一层级；

第二单元阵列，包括沿着所述垂直方向设置在比所述第一层级更高的第二层级的多个可变电阻存储器单元；以及

第二外围电路，被配置成控制所述第二单元阵列，并且设置在所述第一层级，

其中，所述第二单元阵列与所述第二外围电路和所述第一单元阵列重叠。

2.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一单元阵列设置在所述第一外围电路和所述第二外围电路之间。

3.如权利要求1所述的电子设备，还包括多层互连结构，所述多层互连结构设置在所述第二单元阵列和所述第二外围电路之间，并且将所述第二单元阵列与所述第二外围电路电耦接。

4.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一外围电路包括利用所述半导体衬底形成的第一外围电路晶体管，以及

所述第二外围电路包括利用所述半导体衬底形成的第二外围电路晶体管，以及

所述第一单元阵列包括每个都利用所述半导体衬底形成的单元晶体管和选择晶体管。

5.如权利要求4所述的电子设备，其中，所述单元晶体管包括第一栅结构，所述第一栅结构包括：第一隧道绝缘层、设置在所述第一隧道绝缘层之上的第一浮栅、设置在所述第一浮栅之上的第一电荷阻挡层、以及设置在所述第一电荷阻挡层之上的第一控制栅，以及

所述第一外围电路晶体管、所述第二外围电路晶体管和所述选择晶体管包括第二栅结构，所述第二栅结构包括：第二隧道绝缘层、设置在所述第二隧道绝缘层之上的第二浮栅、设置在所述第二浮栅之上的第二电荷阻挡层、以及设置在所述第二电荷阻挡层之上的第二控制栅，其中，缺少所述第二电荷阻挡层的至少一部分，使得所述第二浮栅和所述第二控制栅电耦接。

6.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二单元阵列包括：

多个第一线，沿着第一水平方向延伸；

多个第二线，沿着第二水平方向延伸而设置在所述第一线之上，并且与所述第一线交叉；以及

多个可变电阻元件，在所述第一线和所述第二线的交叉处设置在所述第一线和所述第二线之间。

7.如权利要求6所述的电子设备，其中，所述第一线和所述第二线在所述第二单元阵列和所述第二外围电路彼此重叠的区域中经由设置在所述第二单元阵列和所述第二外围电路之间的多层互连结构与所述第二外围电路电耦接，以及

所述第一线和所述第二线中的至少一个延伸以与所述第一单元阵列重叠。

8.如权利要求6所述的电子设备，其中，所述多个可变电阻元件是第一多个可变电阻元件，且所述第二单元阵列还包括：

多个第三线，设置在所述第二线之上、沿着所述第一水平方向延伸、以及与所述多个第一线重叠；以及

第二多个可变电阻元件，在所述第二线和所述第三线的交叉处设置在所述第二线和所述第三线之间。

9.如权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一单元阵列包括单元晶体管和选择晶体管，以及

所述第二单元阵列包括：多个第一线，沿着第一水平方向延伸；多个第二线，设置在所述第一线之上、沿着第二水平方向延伸、以及与所述第一线交叉；以及可变电阻元件，在所述第一线和所述第二线的交叉处设置在所述第一线和所述第二线之间，以及

布置有所述单元晶体管和所述选择晶体管的第一矩阵区与布置有所述可变电阻元件的第二矩阵区的一部分重叠。

10.如权利要求9所述的电子设备，其中，所述第一单元阵列经由设置在所述第一矩阵区外部的区域中的导体与第一其他电路电耦接，所述第二单元阵列经由设置在所述第二矩阵区外部的区域中的导体与第二其他电路电耦接。