[发明专利]有机发光二极管阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于有机发光二极管显示技术领域，具体涉及一种有机发光二极管阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED)阵列基板包括多个子像素，每个子像素中有一个可发出特定颜色光的有机发光二极管。一种现有的有机发光二极管结构如图1所示，由在基底9(通常由玻璃构成)上依次设置的阳极1、空穴注入层2(HIL)、空穴传输层3(HTL)、发光层4(EML)、电子传输层5(ETL)、电子注入层6(EIL)、阴极7构成。

其中，发光层是有机发光二极管的核心，由主体材料和掺杂在主体材料中的客体材料构成，主体材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于客体材料的HOMO能级，而最低未占分子轨道(LUMO)能级低于客体材料的LUMO能级；从而当有电子和空穴传输到发光层时，客体材料中将产生激子(激发态分子)，当激子回落至基态时以光的形式释放能量即可发光；通过选择主体材料和客体材料，可控制发光的颜色。

发光层中激子的激发态有单线态和三线态两种，单线态激子从激发态回落至基态的时间较短，故其能量以光能形式释放，可实现发光；而三线态激子直接从激发态回落至基态的过程受限制，弛豫时间长，故其能量可能以非光能(热能、振动能等)形式释放，导致其发光效率降低；尤其是对于荧光发光层，其不像磷光发光层存在自旋轨道耦合作用，故其三线态激子不能发光，导致其理论发光效率只有25％(单线态和三线态激子的产生率比是1∶3)。

经研究发现，三线态激子间也可相互淬灭，此时其能量可以光能形式释放，从而提高三线态激子的发光效率。为实现三线态激子间的淬灭，需要在有机发光二极管中增设与发光层接触的“激子阻挡层”，该层的HOMO能级和三线态能级不能低于发光层主体材料的HOMO能级和三线态能级，这样可将三线态激子限定在发光层中，增加三线态激子间相互淬灭的几率，提高发光效率。

发明人发现现有技术至少存在以下的问题：在有机发光二极管阵列基板中，许多层都是通过蒸镀工艺形成的，而不同材料的层要由不同蒸镀设备(如蒸镀腔室)分别制造，故若要增加激子阻挡层，就要增加相应的蒸镀设备，导致其制备设备复杂、成本高；而若不设置激子阻挡层，则有机发光二极管的发光效率又较低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的有机发光二极管阵列基板制备设备复杂或发光效率低的问题，提供一种制备设备简单且发光效率的高有机发光二极管阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光二极管阵列基板，包括多个有机发光二极管，所述有机发光二极管包括依次设置的阳极、发光层、阴极，所述发光层分为多种颜色，并由主体材料和掺杂在主体材料中的客体材料构成，且所述有机发光二极管还包括：

设于阳极和发光层间并接触发光层的激子阻挡层，其由一种发光层的主体材料构成，该主体材料在所有发光层的主体材料中具有最大的最高占据分子轨道能级和三线态能级。

本发明的有机发光二极管阵列基板中存在激子阻挡层，故其可增加三线态激子相互淬灭的几率，提高发光效率；同时，该层又是由一种发光层的主体材料(如蓝色发光层的主体材料)构成的，故其可用制备该发光层用的蒸镀设备制造，从而可在不增加制备设备和成本的前提下提高发光效率；另外，对于顶发射型有机发光二极管阵列基板，现有制备方法需要在空穴传输层制备过程中使用精细金属掩膜板，以调整谐振腔厚度并进而控制出光波长，导致制备设备复杂，成本高，而本发明的有机发光二极管阵列基板中的激子阻挡层是由发光层的制备设备制造的，发光层制备设备中本就具有精细金属掩膜板，故其可通过调整激子阻挡层的厚度直接控制出光波长，从而简化制备设备，降低成本。

优选的是，所述激子阻挡层的厚度在1至200纳米之间。

优选的是，所述有机发光二极管阵列基板为顶发射型有机发光二极管阵列基板；与不同颜色发光层接触的激子阻挡层的厚度不同。

优选的是，所述发光层分为红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层；所述激子阻挡层由蓝色发光层的主体材料构成。

进一步优选的是，所述绿色发光层的主体材料与蓝色发光层的主体材料相同。

进一步优选的是，所述蓝色发光层的主体材料为3-叔丁基-9,10-二(2-萘)蒽、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-二(9-咔唑)联苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺、1,3-N,N-二咔唑-苯中的任意一种。

优选的是，所述蓝色发光层为荧光发光层；和/或所述红色发光层和绿色发光层为磷光发光层。