[发明专利]MEMS开关设备和制造方法在审

专利信息
申请号: 201410367891.4 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104347320A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: J·G·麦克纳马拉;P·L·菲兹格拉德;R·C·格金;B·P·斯坦森 申请(专利权)人: 亚德诺半导体集团
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00;H01H49/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 郭思宇
地址: 百慕大群岛(*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
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摘要:
搜索关键词: mems 开关设备 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微机电系统(MEMS)开关设备,包括:

基材层;

在所述基材层上形成的绝缘层;和

具有在所述绝缘层的表面上形成的多个触点MEMS开关模块,其中,所述绝缘层包括在绝缘层内形成的多个导电路径,所述导电路径被配置成相互连接所述MEMS开关模块的所选触点。

2.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,其中,所述导电路径中的至少一个包括绝缘层的表面下方的导电材料的迹线,以及从迹线延伸到绝缘层的表面的至少一个导电通孔。

3.根据权利要求2所述的MEMS开关设备,其中,每个导电通孔电连接到所述MEMS开关模块的触点之一。

4.根据权利要求2所述的MEMS开关设备,其中,导电材料的迹线包括铝。

5.根据权利要求2所述的MEMS开关设备,其中,,所述导电通孔包括钨。

6.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,其中,所述导电路径中的至少一个包括电阻材料的迹线。

7.根据权利要求6所述的MEMS开关设备,其中,所述导电路径被配置为电阻性电路元件。

8.根据权利要求7所述的MEMS开关设备,其中,所述MEMS开关模块包括开关梁,其中所述电阻电路元件在所述绝缘层内形成,并与所述开关梁对准。

9.根据权利要求6所述的MEMS开关设备,其中,所述电阻材料包括多晶硅。

10.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,其中,所述绝缘层包括二氧化硅。

11.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,进一步包括:与MEMS开关模块电通信的控制模块。

12.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,其中,所述基材层包括具有高电阻率的材料。

13.根据权利要求12所述的MEMS开关设备,其中,所述高电阻率的材料是硅,石英,蓝宝石,砷化镓和玻璃之一。

14.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,其中,所述MEMS开关设备进一步包括包围MEMS开关模块的保护外壳。

15.根据权利要求14所述的MEMS开关设备,其中,所述保护壳体包括键合到绝缘层的硅。

16.根据权利要求1所述的MEMS开关设备,所述MEMS开关模块,包括MEMS开关梁,以及MEMS开关梁包含金。

17.一种制造微机电系统(MEMS)开关设备的方法:

在衬底上形成层绝缘层;

在绝缘层内形成多个导电路径;和

随后在所述绝缘层的表面上形成包括多个触头的MEMS开关模块,由此选定的触点被配置以通过在所述绝缘层内的导电路径互相连接。

18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括:

在形成所述MEMS开关模块之后,形成包围所述MEMS开关模块的保护帽。

19.根据权利要求17所述的方法,还包括提供经配置以与MEMS开关模块电通信的控制模块。

20.根据权利要求19所述的方法,进一步包括使用保护塑料材料封装所述MEMS开关设备。

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