[发明专利]用于形成嵌入式锗硅的方法有效
| 申请号： | 201410365793.7 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105304491B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 形成 嵌入式 方法 | ||
1.一种用于形成嵌入式锗硅的方法，包括：
提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构；
在所述前端器件结构的表面上沉积掺杂碳的氮化硅层；
在所述掺杂碳的氮化硅层的表面上形成氮化硅膜；
进行光刻和刻蚀工艺，在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区；以及
在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅，
其中，所述掺杂碳的氮化硅层在165℃的热磷酸中对氧化物的选择性大于20，并且保留所述掺杂碳的氮化硅层的表面上的所述氮化硅膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂碳的氮化硅层中碳的原子百分含量为0.5％-20％。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂碳的氮化硅层是通过原子层沉积方法形成的。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂碳的氮化硅层是通过等离子体增强原子层沉积方法形成的。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂碳的氮化硅层是通过化学气相沉积方法形成的。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在400℃-650℃的温度范围以及0.002T-5T的压力范围内沉积所述掺杂碳的氮化硅层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述嵌入式锗硅中掺杂有硼。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，外延生长嵌入式锗硅使用SiH4、DCS或Si2H6作为硅源，使用GeH4作为锗源，以及使用B2H6作为硼源。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，外延生长嵌入式锗硅是在400℃-900℃的温度下进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
