[发明专利]处理基板的装置和方法在审

专利信息
申请号: 201410354064.1 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104347453A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 张健 申请(专利权)人: PSK有限公司;塞米吉尔公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 方法
【说明书】:

技术领域

本文揭示的发明关于半导体基板制造装置及基板处理方法,且更特定而言是关于用于对半导体晶圆执行回流处理过程的装置及方法,且本申请案为以下者的共同申请案:Semigear-30(回流处理单元及基板处理装置(Reflow Treating Unit and Substrate Treating Apparatus))及Semigear-32(回流处理单元及基板处理装置(Reflow Treating Unit and Substrate Treating Apparatus)),Semigear-30及Semigear-32是与本案同时申请,其各自为2012年9月17日申请的美国申请案第13/573,486号(Semigear-24)的CIP申请案,该美国申请案为申请案第12/930,462号(现为美国专利8,274,161)的CIP案,该申请案为申请案第12/930,203号(现为美国专利8,252,678)的CIP案,该申请案为申请案第12/653,454号(现为美国专利7,982,320)的CIP案,该申请案为申请案第11/482,838号(现为美国专利7,632,750)的DIV案,该申请案为申请案第10/832,782号(现为美国专利7,008,879)的CIP案,该申请案为申请案第10/186,823号(现为美国专利6,827,789)的DIV案,以上各案皆以全文引用方式并入本文。

背景技术

随着半导体组件的高度整合,用于将形成有半导体集成电路的半导体芯片连接至外部电路的连接焊盘的数目增加。因此,安装于印刷电路板(PCB)上的半导体封装的引线数目显著增加。

当引线数目增加时,根据相关技艺来应用引线框架的封装技术难以应用于包括约500个接脚或500个以上接脚的高度整合半导体芯片。

因此,正在将球状栅格数组(BGA)封装技术发展成新的概念,在所述技术中,半导体封装的输出端子藉由使用半导体封装的宽下表面来安置。

在BGA封装技术中,半导体芯片系安装于PCB上,且焊球系安置成对应于PCB的输出端子。此外,半导体封装的集成电路经由PCB的输出端子及连接至输出端子的焊球来电气连接至电气组件的外部电路。

此处,焊球系安置于与安装有半导体集成电路的PCB相对的表面上。此外,需要用于将焊球电气连接至PCB的输出端子的焊接过程。

此处,用于在将半导体芯片安装于PCB表面上之后于预定温度下将半导体芯片焊接至PCB表面以固化该焊接部分的装置可称为回流装置。

在回流装置中,将置放有焊球的PCB放入加热炉中以便在预定温度下将焊球加热预定时间。因此,可将焊球焊接至PCB的输出端子。

一般而言,可在回流过程中产生助熔剂。此外,可将杂质引入基板处理装置中。由于助熔剂及杂质,包括回流过程的基板处理过程的可靠性可降低。另外,用于执行基板处理过程所需的时间可增加,从而降低过程效率。

发明内容

本发明提供一种回流处理单元,其中能够减少回流处理过程以改良基板处理过程及基板处理装置的效率。

本发明的特征不限于上述内容,而熟习此项技术者自以下描述将清楚地理解本文未描述的其他特征。

本发明提供一种基板处理装置。

本发明的实施例提供基板处理装置,其包括:负载端口,容纳基板的载体设座于该负载端口上;基板处理模块,其包括具有处理空间的一个过程腔室或多个过程腔室,在该处理空间中执行关于该基板的回流过程;清洁单元,其清洁该基板;以及基板转移模块,其安置于该负载端口与该基板处理模块之间,其中该基板转移模块包括转移机器人,该转移机器人在该负载端口、该基板处理模块与该清洁单元之间转移该基板。

在一些实施例中,该清洁单元可包括:清洁腔室,其提供执行该清洁过程的空间;基板支撑构件,其安置于该清洁腔室内以支撑该基板;以及流体供应构件,其将清洁流体喷洒至该基板上。

在其他实施例中,该基板支撑构件可包括真空吸盘,该真空吸盘提供真空压力以真空吸附该基板。

在其他实施例中,该清洁单元可进一步包括驱动部件,该驱动部件旋转该真空吸盘。

在甚至其他实施例中,该流体供应构件可包括:第一流体供应构件,其将用于清洁该基板的第一流体供应至该基板;以及第二流体供应构件,其将用于干燥该基板的第二流体供应至该基板。

在其他实施例中,该流体供应构件可进一步包括压力控制部件,该压力控制部件控制将该第一流体及该第二流体供应至该基板的压力。

在其他实施例中,该清洁单元可提供为多个。

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