[发明专利]存储器的操作方法

说明书

一种存储器的操作方法，存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括N个第一晶体管和熔丝，存储器的操作方法包括：提供复制单元，复制单元包括N个第二晶体管和第一电阻，第一电阻的第一端连接N个第二晶体管的第一端，N个第二晶体管的第二端接地，第二晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，第一晶体管和第二晶体管尺寸相同，第一电阻与熔丝阻值相同；施加编程电流至第一电阻的第二端；获得使第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M，M≤N；对存储器单元执行编程操作时，施加编程电流至熔丝的第二端，并控制执行编程操作的存储单元中的M个第一晶体管处于导通状态。

技术领域

本发明涉及一种存储器领域，尤其涉及存储器的操作方法。

背景技术

熔丝(efuse)技术是根据多晶硅熔丝特性发展起来的一种技术。熔丝的初始电阻值很小，当有大电流经过熔丝时，熔丝被熔断，其电阻值倍增。因此，由熔丝构成的储存单元以判断熔丝是否被熔断来得知其内部储存的数据。

如图1所示，现有熔丝存储器包括：呈m行n列排列的存储单元。所述存储单元包括：1个第一晶体管和熔丝。

位于第1行1列的存储单元中，熔丝f1的第一端连接第一晶体管M11的第一端。第一晶体管M11的第二端接地GND。其他存储单元与位于第1行1列的存储单元结构相同，此处不再赘述。

当对熔丝f1的第二端施加编程电压时，电流流过熔丝f1和处于导通状态的第一晶体管M11。流过熔丝f1的电流足够大且持续时间足够长，则熔丝f1被熔断，该编程操作过程视为将数据“1”编程至该存储单元中。即熔丝被熔断的存储单元视为保存了数据“1”，而熔丝未被熔断的存储单元视为保存了数据“0”。

存储单元中的熔丝被熔断后无法再进行编程操作，所以存储单元只能执行一次编程操作。然而，存储单元容易出现编程失败，即执行编程操作之后熔丝仍未被熔断，这导致存储单元保存的数据出现错误，从而读取结果错误，存储器的生产良率变低。

发明内容

本发明解决的问题是现有存储器的生产良率较低。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的操作方法，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括N个第一晶体管和熔丝，N＞1，所述熔丝的第一端连接所述N个第一晶体管的第一端，所述N个第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，所述存储器的操作方法包括：

提供复制单元，所述复制单元包括N个第二晶体管和第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述N个第二晶体管的第一端，所述N个第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，所述第一晶体管和第二晶体管尺寸相同，所述第一电阻与熔丝阻值相同；

施加编程电流至所述第一电阻的第二端；

获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M，M≤N；

对存储器单元执行编程操作时，施加所述编程电流至所述熔丝的第二端，并控制所述执行编程操作的存储单元中的M个第一晶体管处于导通状态。

可选的，所述获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M包括：

测量所述第一电阻的第二端电压值，在所述第一电阻的第二端电压值小于所述预设电压范围中的最小值时，增加处于导通状态的第二晶体管的数量M。

可选的，所述获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M包括：

测量所述第一电阻的第二端电压值，在所述第一电阻的第二端电压值大于所述预设电压范围中的最大值时，增加处于导通状态的第二晶体管的数量M。