[发明专利]存储器的操作方法

权利要求书

1.一种存储器的操作方法，所述存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括N个第一晶体管和熔丝，N＞1，所述熔丝的第一端连接所述N个第一晶体管的第一端，所述N个第一晶体管的第二端接地，所述第一晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，其特征在于，所述存储器的操作方法包括：

提供复制单元，所述复制单元包括N个第二晶体管和第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述N个第二晶体管的第一端，所述N个第二晶体管的第二端接地，所述第二晶体管的第一端和第二端分别为源极和漏极，所述第一晶体管和第二晶体管尺寸相同，所述第一电阻与熔丝阻值相同；

施加编程电流至所述第一电阻的第二端；

获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M，M≤N；

对存储器单元执行编程操作时，施加所述编程电流至所述熔丝的第二端，并控制所述执行编程操作的存储单元中的M个第一晶体管处于导通状态。

2.如权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M包括：

测量所述第一电阻的第二端电压值，在所述第一电阻的第二端电压值小于所述预设电压范围中的最小值时，减少处于导通状态的第二晶体管的数量M。

3.如权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述获得使所述第一电阻的第二端电压值处于预设电压范围时处于导通状态的第二晶体管的数量M包括：

测量所述第一电阻的第二端电压值，在所述第一电阻的第二端电压值大于所述预设电压范围中的最大值时，增加处于导通状态的第二晶体管的数量M。

4.如权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，还包括：计算所述对存储器单元执行编程操作的有效持续时间。

5.如权利要求4所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述计算所述对存储器单元执行编程操作的持续时间包括：

检测所述熔丝的第二端的电流值，将所述熔丝的第二端的电流值处于预设电流范围时持续的时间作为所述对存储器单元执行编程操作的有效持续时间。

6.如权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，还包括：将结束编程操作的存储单元对应的状态标识设置为已编程。

7.如权利要求6所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述对存储器单元执行编程操作的步骤在满足以下条件时执行：

未检测到所述存储单元对应的状态标识为已编程。

8.如权利要求1所述的存储器的操作方法，其特征在于，还包括：对结束编程操作的存储单元执行读取操作以获得读取数据，并依据所述读取数据判断所述编程操作是否成功。