[发明专利]图像传感器的晶圆级封装方法和图像传感器封装结构

权利要求书

1.一种图像传感器的晶圆级封装方法，包括：

提供内嵌有若干透明基片的封装基板和包含若干图像传感器芯片的图像传感器晶圆；

粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆，其中，所述透明基片对应所述图像传感器芯片的感光区，粘性材质覆盖所述图像传感器芯片的焊盘区域；

对所述图像传感器晶圆进行背面布线工艺和凸点工艺；

对所述封装基板进行减薄，切割所述封装基板与所述图像传感器晶圆，形成独立的封装结构。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装基板的形成过程包括：

提供原始晶圆；

于所述原始晶圆的其中一个表面形成若干分隔的凹槽；

将所述透明基片内嵌至所述凹槽以形成所述封装基板。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装基板的主体为包含有若干凹槽的陶瓷基板。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装基板的形成过程包括：

提供透明基板；

切割所述透明基板形成所述透明基片。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述透明基板为玻璃基板、蓝宝石基板或塑料基板。

6.根据权利要求4所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在切割所述透明基板前，在所述透明基板的上表面或下表面镀上红外滤光膜和光学增透膜的至少其中之一。

7.根据权利要求4所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在切割所述透明基板前，在所述透明基板的上表面和下表面镀上红外滤光膜和光学增透膜的至少其中之一。

8.根据权利要求2或3所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装基板的形成过程还包括：在所述凹槽底部形成子凹槽。

9.根据权利要求8所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述子凹槽包括靠近所述凹槽的第一端和背离所述凹槽的第二端；在对所述封装基板进行减薄时，减薄至所述子凹槽的第二端，以暴露出所述透明基片。

10.根据权利要求8所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述子凹槽的范围对应于所述图像传感器芯片感光区的范围。

11.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，采用点胶、画胶、印刷胶、滚胶或光刻工艺图案化胶的方式，粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆。

12.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，采用焊盘面接触的硅穿孔工艺，焊盘激光通孔的环形侧面接触工艺或焊盘切割后的T型接触工艺进行所述背面布线工艺。

13.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆后，且在切割所述图像传感器晶圆前，减薄所述图像传感器晶圆的厚度。

14.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在粘合所述封装基板与所述图像传感器晶圆后，且在切割所述图像传感器晶圆前，减薄所述图像传感器晶圆的厚度和所述封装基板的厚度。

15.根据权利要求13或14所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，减薄所述图像传感器晶圆的厚度至50μm～200μm。

16.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，切割时，斜切所述封装基板，直至所述封装基板位于所述凹槽底部的部分被完全去除。

17.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在对所述封装基板进行减薄时，减薄至所述封装基板位于所述凹槽底部的部分被完全去除。

18.根据权利要求9所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，切割后，所述子凹槽形成开口正对所述透明基片的表面。

19.根据权利要求1所述的图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，采用机械切割或激光切割的切割方式进行所述切割。