[发明专利]一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元

权利要求书

1.一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：包括控制管、隧穿管、读取管以及选择管，控制管和隧穿管均采用改进型N阱电容实现，读取管采用NMOS晶体管或本征管实现，选择管采用NMOS晶体管实现，控制管、隧穿管和读取管三管的栅极并接，作为存储电荷的浮栅，该浮栅与外界通过绝缘层隔离，所述的控制管驻留在第一个N阱中，隧穿管驻留在第二个N阱中，读取管驻留在P衬底或第一个P阱中，选择管驻留在第一个P阱中，所述改进型N阱电容是在栅极两侧的N阱中分别掺杂N+类型和P+类型的杂质，形成N+区域和P+区域，同时栅极多晶为N+类型的杂质注入。

2.根据权利要求1所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述的控制管、隧穿管、读取管和选择管均为单栅结构。

3.根据权利要求1所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述的控制管、隧穿管、读取管和选择管具有相同的栅极氧化层厚度。

4.根据权利要求1所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：控制管N阱电容的N+区域和P+区域连接在一起，构成控制端子；隧穿管N阱电容的N+区域和P+区域连接在一起，构成隧穿端子；读取管的漏极构成读取端子；读取管的源极与选择管的漏极连接，选择管的源极输出数据；选择管的栅极构成选择端子。

5.根据权利要求4所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述的隧穿管、读取管的栅极区面积均小于控制管的栅极区面积。

6.根据权利要求5所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述控制端子、隧穿端子和读取端子，这三端容性耦合的电势，叠加后形成浮栅上的电势。

7.根据权利要求6所述的一种具有改进型N阱电容的单栅非易失存储单元，其特征在于：所述控制端子、隧穿端子、读取端子与选择端子在编程操作、擦除操作、读取操作时分别施加不同的电压组合。