[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的制造过程中，静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)保护一直是本领域中的重要课题之一。ESD保护观念的产生，主要是因为在对显示器的基板表面进行一连串的工艺步骤(例如，干法蚀刻)时，会在基板上累积不少静电荷，这些静电荷在累积至一定程度而随意放电时，会破坏部分像素结构，造成显示缺陷，甚至造成整个显示器损毁。

在现有技术中，形成TFT阵列基板需要进行五道光掩膜。如图1所示，基板分为显示区域和外围区域，显示区域包括作为薄膜晶体管的第I区和作为储存电容的第II区。在阵列基板的制作过程中，首先在基板上形成第一金属层，并以第一道光掩模使其图案化，形成第I区的栅极11A和第II区的下电极(储存电容的电极)11B。接着，形成绝缘层12后，以第二道光掩模图案化在第I区形成沟道层13和欧姆接触层14。在形成第二金属层后，以第三道光掩模进行图案化使第二金属层形成漏极15，并对部分的欧姆接触层14进行蚀刻以漏出沟道层13。在上述结构上形成保护层17，并以第四道光掩模进行图案化，形成过孔(Via hole)以露出薄膜晶体管的部分漏极15。之后形成导电层，在以第五道光掩模图案化导电层，图案化的导电层18而作为像素电极，使其透过过孔与漏极15电连接，并作为第II区的上电极。经上述步骤，即形成如图1所示的结构。

由上述制造过程可知，阵列基板中栅线和数据线一般都是单层金属(single metal)。且数据线为整个工艺制程的第三层，且为金属层形成工艺的第二层。由于在第四步骤中，即在蚀刻过孔的过程中，首先是将PV层蚀刻掉，这样数据线所在金属层会暴露在干刻电浆(DRY plasma)中，在持续对绝缘层进行蚀刻的过程中，电浆会不断轰击数据线所在金属层，由此就会造成该金属层持续积累静电并很容易发生ESD现象，严重情况就会发生击穿现象，从而导致阵列基板报废。

因此，亟需提供一种解决方案，以降低在蚀刻过孔的过程中发生静电击穿的风险。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种阵列基板的制造方法，该方法能够能够降低制造过程中发生静电击穿的风险。另外，本发明还提供了一种阵列基板。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括：提供一基板，所述基板上具有显示区域；形成多个像素结构在所述显示区域，至少一个像素结构的制造方法包括：在所述基板上依次形成图案化第一金属层、栅极绝缘层以及图案化第二金属层，其中，所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案，所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极，所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置；在所述图案化第二金属层上形成图案化保护层，所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔；在所述图案化保护层上形成图案化导电层而作为像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

在一个实施例中，所述浮动金属图案被设置为垂直所述栅线方向且与所述栅线之间存在间隔。

在一个实施例中，所述浮动金属图案为矩形图案时，所述浮动金属图案的宽度小于或等于所述数据线的宽度。

在一个实施例中，采用钽、钼钽、铬、铝、钛铝钛、铝钼、钼钽和钼钨中的任一种材料制成所述浮动金属图案。

根据本发明的另一方面，还提供了一种阵列基板，包括：基板，所述基板上具有显示区域；形成在所述显示区域的多个像素结构，至少一个像素结构包括：图案化第一金属层，所述图案化第一金属层包括栅线和与所述栅线绝缘设置的浮动金属图案；栅极绝缘层，其设置在所述图案化第一金属层上；图案化第二金属层，其设置在所述栅极绝缘层上，所述图案化第二金属层包括数据线、源极和漏极，所述数据线经由所述栅极绝缘层与所述浮动金属图案对应设置；图案化保护层，其设置在所述图案化第二金属层上，且所述图案化保护层上具有露出部分漏极的过孔；图案化导电层，其设置在所述图案化保护层上，且作为像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

在一个实施例中，所述浮动金属图案垂直所述栅线方向且与所述栅线之间存在间隔。

在一个实施例中，所述浮动金属图案为矩形图案时，所述浮动金属图案的宽度小于或等于所述数据线的宽度。

在一个实施例中，所述浮动金属图案采用钽、钼钽、铬、铝、钛铝钛、铝钼、钼钽和钼钨中的任一种材料制成。

与现有技术相比，本发明的一个或多个实施例可以具有如下优点：