[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

光电二极管，所述光电二极管位于第一导电类型半导体衬底内的第二导电类型区域；

第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面上；

转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面并且对应于转移管的沟道区区域；

第二氧化层，所述第二氧化层位于所述转移管的栅极区域的表面；

第一电极部，所述第一电极部部分地覆盖对应于所述转移管的栅极区域表面的第二氧化层，并且对应于光电二极管的区域部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上；以及

浮置扩散区域，所述浮置扩散区域采用第二导电类型重掺杂，并且位于所述第一导电类型半导体衬底的内部。

2.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

光电二极管，所述光电二极管位于第一导电类型半导体衬底内的第二导电类型区域；

第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面上；

第一电极部，所述第一电极部位于所述第一氧化层的上表面并且对应于光电二极管的区域；

第二氧化层，所述第二氧化层位于所述第一电极部的表面；

转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域部分地覆盖于对应于所述第一电极部表面的第二氧化层，并且对应于转移管的沟道区区域部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上；以及

浮置扩散区域，所述浮置扩散区域采用第二导电类型重掺杂，并且位于所述第一导电类型半导体衬底的内部。

3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括第一导电类型隔离层，所述第一导电类型隔离层位于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且位于所述光电二极管的区域的上部。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氧化层包裹于所述转移管的栅极区域。

5.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氧化层包裹于所述第一电极部。

6.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述转移管的栅极区域包括：栅氧化层和覆盖于所述栅氧化层的栅电极层。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述栅电极层为多晶硅、金属或可导电的化合物以及它们的组合。

8.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型区域作为光生载流子的收集区，其中所述光生载流子为电子或空穴。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电极部为多晶硅、金属或可导电的化合物以及它们的组合。

11.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，所述图像传感器的形成方法包括以下步骤：

在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，以形成光电二极管；

形成位于所述第一导电类型半导体衬底表面的第一氧化层；

形成转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域位于第一导电类型半导体衬底的上表面并且对应于转移管的沟道区区域；

形成位于所述转移管的栅极区域表面的第二氧化层；

形成第一电极部，所述第一电极部覆盖于对应于所述转移管的栅极区域上表面的第二氧化层，并且对应于光电二极管的区域部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上。

12.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，所述图像传感器的形成方法包括以下步骤：

在第一导电类型半导体衬底内形成第二导电类型区域，以形成光电二极管；

形成位于所述第一导电类型半导体衬底表面的第一氧化层；

形成第一电极部，所述第一电极部位于第一导电类型半导体衬底的上表面对应于所述光电二极管的区域；

形成位于所述第一电极部表面的第二氧化层；

形成转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域覆盖于对应于所述第一电极部上表面的第二氧化层，并且对应于转移管的沟道区区域，部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上。