[发明专利]用于探针卡的板及其制造方法和探针卡

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月26日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0088976以及2014年3月10日提交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2014-0027688的优先权，这两个申请的全部内容以引用的方式整体结合于此。

技术领域

本发明的概念通常涉及用于其中嵌入有电容器的探针卡的板及其制造方法和探针卡。

背景技术

除非在此另有指示，本部分描述的材料并不是本发明的权利要求的现有技术，并且也不因为包含在本部分而承认为现有技术。半导体元件通过制造工艺(fabrication process)和组装工艺制造。所述制造工艺包括形成用于检测晶片的电路图形和接触垫。所述组装工艺包括将包括电路图形和形成在其上的接触垫的晶片组装成独立的芯片。

在上述制造工艺和组装工艺之间执行电特性拣选(EDS)工艺。在EDS工艺中，向形成在晶片上的接触垫施加电信号，以检测所述晶片的电性能，并且通过这种EDS工艺将半导体元件分为良品以及不良品。

检测装置主要用于半导体元件上的电性能检测。这种检测装置包括用于产生检测信号和确定检测结果的检测件、执行板(performance board)、用于装载和卸载半导体晶片的探针台、卡盘、探针、探针卡等。

将半导体晶片和测试件电连接在一起的探针卡可用于通过执行板接收测试件中产生的信号。另外，探针卡将信号传递至晶片中的芯片垫上，并且将芯片垫输出的信号通过执行板传递至测试件。

所述探针卡可以构造为通过堆叠多个包括电路图形、电极极板(electrode pad)、过孔电极等的陶瓷生片而形成的板，以制造多层主体，并烧结多层主体。随后将板连接至探针销。

由于半导体元件因半导体电路领域集成技术的发展而被连续地小型化，并且通过制造工艺形成在晶片上的电路图形以及与电路图形相连的接触垫已经被高度集成，用于半导体元件的检查装置需要极其精确。

在用于检测高度集成的晶片的高度集成的探针卡的板中，由于评估一种操作所需的电流水平的增加，已经产生了功率噪声问题并达到过量的程度，并且在目前的陶瓷板结构中难以解决所述功率噪声问题，在目前的陶瓷板结构中，解耦电容器安装在与检测销区间隔的板表面外部区域中。

为了解决这一问题，存在改进用于探针卡的板的结构以减少产生的噪声的需求。

发明内容

本发明的概念的一些实施方式可以提供嵌入有电容器的并且具有优越的耐用性和降噪效率的用于探针卡的板及其制造方法和探针卡。

本公开内容的一个方面涉及用于探针卡的板，该板包括陶瓷板、导电图形、导电过孔和电容器。所述陶瓷板包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层的第一表面上的第二绝缘层，并且第二绝缘层包括用于容纳电子部件的腔。所述导电图形印刷在第一绝缘层和第二绝缘层上。所述导电过孔与所述导电图形电连接。所述电容器设置在所述腔中。所述腔的深度大于所述电容器的厚度，以确保所述腔在容纳所述电容器后具有空间。

所述导电图形可以包括设置在所述第一绝缘层的第二表面上的图形，所述第二表面与所述第一绝缘层的第一表面相反。所述图形可以连接于检测销。

所述腔的上部可以与所述第一绝缘层接触，并且所述电容器可以设置在所述腔的上部之中。

所述第一绝缘层的厚度可以在0.05mm至1.2mm的范围内。

所述陶瓷板的厚度可以大于或等于2.0mm。

所述电容器包含高介电常数的陶瓷，该高介电常数的陶瓷能够在1000℃至1400℃烧结。

所述陶瓷板可以包含氧化铝(Al₂O₃)和玻璃，且具有如下组份：基于100质量份的氧化铝，玻璃为100至233质量份。

所述陶瓷板的抗弯强度可以是从150MPa至350MPa。

本公开内容的另一个方面包括制造用于探针卡的板的方法。根据该方法，制造了包括介电层的电容器。制备了多个生片。在所述生片上制备了导电图形、导电过孔和用于嵌入电容器的容纳部分。所述生片堆叠以将所述电容器嵌入所述容纳部分中，从而形成生片多层主体。烧结所述生片多层主体以形成陶瓷板，所述陶瓷板包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层包括用于容纳电容器的腔。所述腔的深度可以大于电容器的厚度，以确保所述腔在容纳所述电容器后具有空间。

所述第一绝缘层的厚度可以在0.05mm至1.2mm之间。

所述陶瓷板的厚度可以大于或等于2.0mm。