[发明专利]垂直型LED的制作方法有效
| 申请号： | 201410318634.1 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104064642B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张宇;童玲;张琼;吕孟岩;张楠 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 led 制作方法 | ||
1.一种垂直型LED的制作方法，包括步骤：
提供生长衬底，在所述生长衬底上形成有外延层，所述外延层包括未掺杂层；
在所述外延层表面依次形成金属电极和键合衬底；
剥离所述生长衬底，暴露出所述未掺杂层；
刻蚀所述未掺杂层，保留部分未掺杂层作为电流阻挡层；
形成N电极，所述N电极覆盖所述保留的未掺杂层，并且与所述外延层形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述外延层包括P-GaN、量子阱和N-GaN，所述P-GaN与所述金属电极相连，所述N-GaN与所述未掺杂层相连，所述量子阱形成于所述P-GaN和N-GaN之间。
3.如权利要求2所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，在刻蚀所述未掺杂层之后，形成N电极之前，对所述N-GaN表面进行粗化处理。
4.如权利要求3所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述粗化处理采用湿法刻蚀处理，使用的溶液为KOH或H2SO4。
5.如权利要求2所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述金属电极依次包括电流扩展层、反射镜以及金属键合层，所述电流扩展层与所述P-GaN相连，所述反射镜位于所述电流扩展层和金属键合层之间。
6.如权利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述电流扩展层的材质为ITO、ZnO或AZO。
7.如权利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述反射镜的材质为Al或Ag。
8.如权利要求5所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述金属键合层的材质为Au-Au或Au-Sn。
9.如权利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度范围是100nm～1000nm。
10.如权利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的尺寸比所述N电极的尺寸小5μm～10μm。
11.如权利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述N电极的材质为Ni、Au、Al、Ti、Pt、Cr、Ni/Au合金、Al/Ti/Pt/Au合金或Cr/Pt/Au合金。
12.如权利要求1所述的垂直型LED的制作方法，其特征在于，所述键合衬底的材质为Si、WCu或MoCu。
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