[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1）在电解质溶液中，以石墨为阴极，铜箔为阳极，利用电化学相沉积法在石墨电极表面沉积金属铜；

步骤2）将金属铜使用电阻加热金属铜的化学沉积反应区，在氢气和甲烷气氛中，在高温条件下利用化学气相沉积法在金属铜表面生成石墨烯；

步骤3）将石墨烯层面贴合到涂覆有树脂粘合剂的薄膜基材上，然后通过紫外线照射薄膜使树脂层固化；

步骤4）将固化后的薄膜上涂覆刻蚀溶液，用水冲洗去除铜，进行干燥后就可得到成品。

2.根据权利要求1所述的石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的利用电化学沉积法在石墨电极表面沉积金属铜的工艺条件为：施加大小为1-10V的直流电压，且电沉积时间为5-15min。

3.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中利用化学气相沉积法在铜表面生长石墨烯的生长条件：生长温度为800-1050℃，氢气和甲烷的气体流量分别为5-100sccm和2-50ccm，生长时间为2-3分钟。

4.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的电解质溶液为硫酸铜和硫酸组成的混合溶液。