[发明专利]沟槽型功率器件的制造方法和沟槽型功率器件有效
| 申请号： | 201410311145.3 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105225959B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 器件 制造 方法 | ||
1.一种沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：
生长步骤，在衬底的上方生长多层外延层；
所述生长步骤具体包括：
在衬底的上方生长第一层外延层；
在所述第一层外延层的上方生长第二层外延层；
在所述第二层外延层的上方生长第三层外延层；以及
所述制造方法还包括：
在所述第三层外延层注入P型掺杂杂质和N型掺杂杂质，形成P型体区和N型源区，以得到外延片；
对所述外延片进行刻蚀，形成沟槽；
所述沟槽底部达到所述第三层外延层内，并且不与所述第二层外延层接触；
所述第一层外延层和所述第三层外延层的杂质浓度大于所述第二层外延层的杂质浓度；
所述第一层外延层和所述第三层外延层的厚度小于所述第二层外延层的厚度。
2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述衬底和所述多层外延层的材料均为硅。
3.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述多层外延层的掺杂杂质为N型。
4.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述多层外延层的掺杂杂质的浓度均小于所述衬底的掺杂杂质浓度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽采用干法刻蚀形成。
6.一种沟槽型功率器件，其特征在于，所述沟槽型功率器件由如权利要求1至5中任一项所述的沟槽型功率器件的制造方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
