[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

现有技术中，有机发光二极管显示器的电源线通常设置在像素区域内，驱动元件和被驱动元件被连接在电源线之间，并且通过控制所述驱动元件的电导来获得期望的显示图像。在使用薄膜晶体管作为驱动元件的情况下，薄膜晶体管的源极端连接到一电源，并且通过与显示数据对应的电压施加到薄膜晶体管栅极端，将薄膜晶体管的跨栅极和源极的电压对应的电流提供给被驱动元件。有机发光二极管显示器的像素区域内电路需要在不同晶体管之间换线，而换线是通过绝缘层上的过孔来完成。

现有过孔设计为在栅极绝缘层上直接打孔，使栅极金属露出。然后源漏金属覆盖在过孔上使源漏金属与栅极金属联通。在进行过孔设计时，源漏金属边缘离过孔边缘需要有足够的间距，以保证源漏金属可以完整覆盖过孔。防止栅极金属露出。否则，刻蚀源漏金属时，栅极金属有被刻蚀的风险，从而带来过孔连接电阻过大以及过孔被腐蚀的问题。如果保证源漏金属面积，会降低过孔区域的栅极金属被误刻蚀风险，但会导致过孔区域源漏金属面积过大。考虑到曝光精度，过孔周边的源漏金属走线便需要远离过孔，这为OLED像素电路设计带来了麻烦，不利于提高OLED显示器的PPI以及稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板；

设置在所述基板上的相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元；

设置在所述基板上的第一金属层；

设置在所述第一金属层上的绝缘层，所述绝缘层包括多个过孔，所述过孔暴露出部分第一金属层；

设置在所述绝缘层上的半导体层，所述半导体层电连接所述第一金属层；

设置在所述半导体层上的第二金属层，所述第二金属层电连接所述半导体层。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

本发明还提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成一第一金属层，图案化所述金属层，形成栅极；

在所述第一金属层上形成一绝缘层，图案化所述绝缘层，绝缘层上形成多个过孔，所述过孔暴露出部分所述第一金属层；

在所述绝缘层上形成一半导体层，所述半导体层电连接所述第一金属层；

在所述半导体层上形成一第二金属层，所述第二金属层电连接所述半导体层。

与现有技术相比，本发明具有如下突出的优点之一：

本发明使用半导体作为刻蚀保护层，在干刻源漏金属时，半导体的刻蚀速率极低，因此可以保护在下面的栅极金属不被刻蚀。这样，就不需要大面积的源漏金属保护过孔下的栅极金属。同时，由于半导体与源漏金属不使用同一道光罩图案化，所以没有曝光精度问题。即使考虑到对位偏差，在现有工艺条件下，相对于现有技术案，过孔周围的SD金属走线可以更加靠近过孔。从而提高设计的自由度。

附图说明

图1是现有技术中一种OLED显示器阵列基板上像素单元的结构示意图；

图2为图1中换线区域的局部放大图；

图3为换线区域的剖面结构示意图；

图4是本发明实施例一提供的薄膜晶体管阵列基板的换线区域的结构示意图；

图5是本发明实施例一提供的薄膜晶体管阵列基板的换线区域的剖面结构示意图；

图6至图9是本发明实施例二提供的制程过程中薄膜晶体管阵列基板换线区域的结构示意图。

具体实施方式