[发明专利]分析导体瞬态电磁散射特性的时域高阶Nystrom方法

权利要求书

1.一种分析导体瞬态电磁散射特性的时域高阶Nystrom方法，其特征在于步骤如下：

第一步，建立导体表面时域积分方程；

第二步，对导体表面时域积分方程采用三角基函数进行时间上的离散，并采用二阶曲面三角形单元进行空间上的离散；

第三步，在时间上采用加辽金测试，空间上点匹配，形成待求解的矩阵方程，未知电流为导体瞬态面电流；

第四步，求解矩阵方程，得到导体的瞬态面电流系数，再根据互易定理由电流系数计算瞬态电磁散射参量。

2.根据权利要求1所述的分析导体瞬态电磁散射特性的时域高阶Nystrom方法，其特征在于，所述步骤1中：

令电磁波照射到导体结构上，在导体表面上产生表面感应面电流J，根据理想导体的电场边界条件，即金属表面的总场切向分量为0，得到导体目标的时域积分方程TDIE，如下

n^(ro)×[Einc(ro,t)+Esca(ro,t)]=0---(1)]]>

n^(ro)×[Hinc(ro,t)+Hsca(ro,t)]=J(ro,t)---(2)]]>

其中，下标tan表示电场的切向分量，E^inc和H^inc表示照射在目标上的电磁波的入射电场和磁场，E^sca和H^sca表示目标在电磁波照射后产生的散射电场和磁场，散射场的表达形式为：

Esca(ro,t)=▿▿·∫S∂t-1J(rs,t-|ro-rs|/c)4πϵ|ro-rs|dS′-∫Sμ∂tJ(rs,t-|ro-rs|/c)4π|ro-rs|dS′---(3)]]>

Hsca(ro,t)=∫S▿×[J(rs,t-|ro-rs|/c)4π|ro-rs|]dS′---(4)]]>

其中S表示金属表面单元，μ和ε分别表示自由空间的磁导率和介电参数，r_o和r_s分别为场和源的位置坐标，c表示真空中的光速，和分别表示对时间的积分和对时间的求导。