[发明专利]一种纳米级微结构的制备方法

说明书

本发明涉及一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构设置于一基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，暴露出所述基板的部分表面；以及，干法刻蚀所述基板，在所述基板的表面形成微结构。

技术领域

本发明涉及一种微结构的制备方法，尤其涉及一种纳米级微结构的制备方法。

背景技术

在现有技术中，制作各种半导体设备时，常需要制作具有数十纳米到数百纳米的微结构。具有上述微结构的制作方法主要有电子束的光刻方法、等离子体刻蚀法等。在该些方法中，掩模层图案化需要较复杂的步骤，上述方法均需要大型的设备和仪器，工艺较复杂，时间较长，并且尺寸难以做到纳米级尺寸。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种微结构的制备方法，该制备方法工艺简单。

一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构；将所述碳纳米管复合结构设置于一基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，暴露出所述基板的部分表面；以及，干法刻蚀所述基板，在所述基板的表面形成微结构。

一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；将所述碳纳米管结构悬空设置，并在所述碳纳米管结构的表面设置一预制层，使每个碳纳米管表面的预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构；提供一基板，在所述基板的表面预先沉积一过渡层；将所述碳纳米管复合结构设置于带有过渡层的基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，暴露所述过渡层的部分表面；以及，依次干法刻蚀所述过渡层以及基板，在所述基板的表面形成微结构。

一种纳米级微结构的制备方法，其包括：提供一悬空设置的碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个有序排列的碳纳米管；在所述碳纳米管结构中的每个碳纳米管表面形成一预制层，所述预制层的厚度为3纳米~50纳米，而得到一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构具有多个通孔；将所述碳纳米管复合结构设置于一基板的表面形成一掩模层，该掩模层具有多个微孔，对应通孔位置处的基板暴露出来；以及，对通孔位置处的基板进行干法刻蚀，在所述基板的表面形成微结构。

相较于现有技术，本发明所述微结构的制备方法通过在碳纳米管结构的表面设置预制层得到碳纳米管复合结构，然后以碳纳米管复合结构作为掩模层刻蚀基板，得到所述微结构。由于采用碳纳米管结构作为骨架，碳纳米管结构具有多个微孔，因而得到的掩模层也相应的具有多个微孔，该方法可轻易的实现图案化的掩模层。并且由于所述碳纳米管复合结构的尺寸以及图形可以根据具体需要设置，从而实现可控的制备不同图案的所述微结构。该制备方法简单、效率高，且易于产业化。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的所述微结构的制备方法的流程图。

图2为本发明第一实施例提供的所述碳纳米管复合结构的截面图。

图3为本发明采用的碳纳米管拉膜的扫描电镜照片。

图4为本发明采用的非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图5为本发明采用的扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图6为本发明第一实施例提供的碳纳米管复合结构的扫描电镜照片。

图7为本发明第一实施例提供的微结构的扫描电镜照片。

图8为本发明第二实施例提供的所述微结构的制备方法的流程图。