[发明专利]使用氧化物垫片减小节距

权利要求书

1.一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于衬底上方且在反射涂覆(ARC)层和具有掩模特征的图案化有机掩模下，该图案化有机掩模为光阻或无定形碳掩模，该方法包含：

(a)将该衬底放在处理室中；

(b)穿过该图案化掩模的该掩模特征打开该ARC层；

(c)形成氧化物垫片沉积层，该氧化物垫片沉积层包括顶部部分、侧壁和底部部分，该顶部部分覆盖该有机掩模的顶部，该侧壁覆盖该有机掩模的侧壁，而该底部部分覆盖该掩模特征的底部；

(d)通过蚀刻部分除去该有机掩模上的该氧化物垫片沉积层，该氧化物垫片沉积层的至少该顶部部分被除去；

(e)通过蚀刻除去该有机掩模和该ARC层；

(f)穿过该氧化物垫片沉积层的该侧壁蚀刻该蚀刻层；以及

(g)从该处理室除去该衬底，

其中，通过改变所述氧化物垫片沉积层中碳的比率以控制该氧化物垫片沉积层对所述有机掩模和/或所述蚀刻层的蚀刻选择性，以及(c)形成该氧化物垫片沉积层包含多个循环，每个循环包含：

沉积阶段，包括：

提供含Si的沉积气体的气流；

从该沉积气体形成等离子体；以及

停止该沉积气体的气流；以及

加工阶段，包括：

提供O₂和/或N₂的加工气体的气流；

从该加工气体形成等离子体；以及

停止该加工气体的气流，

其中选择所述沉积阶段和所述加工阶段的功率和压强以减少所述有机掩模的任何条纹和扭动。

2.根据权利要求1所述的方法，其中(c)形成该氧化物垫片沉积层包含三(3)到十五(15)个循环。

3.根据权利要求1所述的方法，其中(c)形成该氧化物垫片沉积层包含约十(10)个循环。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该沉积气体包括硅烷和碳氢化合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中该沉积气体包括SiH₄和CH₃F。

6.根据权利要求4所述的方法，其中该沉积气体是基本上无氧的。

7.根据权利要求1所述的方法，其中(c)形成该氧化物垫片沉积层包含一(1)到二十(20)个循环。

8.根据权利要求7所述的方法，其中(d)部分除去进一步除去在该掩模特征的该底部上形成的该氧化物垫片沉积层的该底部部分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中该方法是在室温下执行的。

10.根据权利要求7所述的方法，其中该沉积气体包括硅烷和碳氢化合物。

11.根据权利要求7所述的方法，其中该沉积气体包括SiH₄和CH₃F。

12.根据权利要求7所述的方法，其中该沉积气体是基本上无氧的。

13.根据权利要求1所述的方法，其中(d)部分除去进一步除去在该掩模特征的该底部上形成的该氧化物垫片沉积层的该底部部分。

14.根据权利要求1所述的方法，其中该方法是在室温下执行的。