[发明专利]一种阵列基板、显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板、显示装置及其制造方法的结构及其制造方法。

背景技术

图1为现有技术中显示装置的剖面示意图，如图1所示，光电显示装置，其包括阵列基板11、彩色滤光片基板13以及夹设于该两基板之间的显示介质层13，背光源14从阵列基板11一侧入射，在阵列基板11和彩色滤光片基板上分别贴有阵列侧偏光板115和彩色滤光片侧偏光板124。

其中，阵列基板11上一般包括栅极金属层111、栅极绝缘层、半导体层112、源漏金属层113、源漏绝缘层、有机绝缘层、像素电极层114，且通过5至6次成膜工艺形成；彩色滤光片侧包括黑色矩阵层121、色阻层122，如绿色色阻层、红色色阻层、蓝色色阻层等、共通电极层123、支撑柱层(PS)，且一般通过6次成膜工艺完成。

在显示装置的制作工艺中，每多制作一道工艺，就会增加面板不合格发生的概率，另外，在成膜完成之后，彩色滤光片基板和阵列基板的贴合精度也会影响产品的合格率，贴合不良会导致产品漏光。

发明内容

有鉴于此，针对现有技术中的不足，本发明提供一种阵列基板、显示装置及其制造方法，本发明通过彩色滤光片基板和阵列基板上部分膜层材料共用，可以减少成膜次数，节省材料，减少不合格率，降低产品的成本。

本发明一实施例提供了一种阵列基板，其包括：一基板，其上设置有：多条第一公共电极线，具有均匀分布缝隙的非连续分布线；多条第二公共电极线，与该多条第一公共电极线交叉连接围成像素区域阵列；多条数据线，每一所述数据线设置在每一该像素区域的垂直中线上，且穿过对应该第一公共电极线的该缝隙；多条扫描线，每一所述扫描线设置在每一该像素区域的水平中线上，且与多条该数据线彼此交叉设置；主动元件，设置于每一该数据线与每一该扫描线交叉区域；多个像素电极，每一该像素电极通过第一接触孔与该主动元件电性连接；多个存储电极，配置于该像素电极的的下方，且与该第一公共电极线与该第二公共电极线交叉区域的投影区域重叠，且该存储电极通过第二接触孔与该像素电极电性连接；黑色有机绝缘层，配置于在该像素电极下方，且形成第一高度图案和第二高度图案，其中，第一高度图案为支撑柱，第二高度图案为黑色矩阵。

优选地，该两高度不同的图案通过半色调掩膜版或者灰色调掩膜版曝光形成。

优选地，该黑色矩阵覆盖该扫描线、该存储电极、该数据线、该第一、二公共电极线、该主动元件，该支撑柱均匀布置在该扫描线与数据线交叉区域和/或该第一、二公用电极线交叉区域。

本发明基于上述实施例，还提供了一种显示装置，其包括如上述实施例所述的阵列基板，还包括一对置基板，该基板为覆盖有ITO的玻璃基板，该阵列基板与该对置基板之间夹设有显示介质层。

本发明基于上述实施例，还提供了一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：

a.在阵列基板上形成第一金属层，其包括扫描线、存储电极；

b.形成半导体层；

c.形成第二金属层，其包括薄膜晶体管的源、漏极，数据线，以及第一、二公共电极线；

d.形成一绝缘层，其上覆盖有机绝缘层，采用半色调掩膜版或者灰阶掩膜版光刻工艺形成两高度不同的图案，第一高度图案为支撑柱，第二高度图案为黑色矩阵；

e.形成第一接触孔和第二接触孔；

f.形成该像素电极。

优选地，在所述步骤a中，该第一金属层为金属Ti、Al、Cu、Mo或者其一种或多种组成的金属合金，该第一金属层厚度为1000-5000A。

优选地，在所述步骤b中，半导体材料为非晶硅，多晶硅或者氧化物半导体，其膜厚为500A至3000A；

优选地，在所述步骤b中，数据线为金属Al，则还包括在源漏电极位置设置半导体刻蚀阻挡层。

优选地，在所述步骤d中，该第二金属层为金属Ti、Al、Cu、Mo或者其一种或多种组成的金属合金，该第二金属层的厚度为1000-5000A。

优选地，源漏绝缘层，其为SiO2、SiNx或Al2O3，该绝缘层的厚度为1000A—4000A，有机绝缘层为黑色有机材料。

本发明与现有技术相比，其优点在于：通过设置黑色有机绝缘材料，同时形成黑色矩阵和支撑柱，可以有效的减少液晶面板的工艺流程，提高产品的合格率，另外由于黑色矩阵位于阵列基板上，彩色滤光片基板和阵列基板没有对位精度要求，因此，产品的合格率也可以得到进一步的提高。

附图说明

图1为现有技术中显示装置的剖面示意图；